ROHM

新产品通过采用引脚间距缩小至0.35mm的WLCSP封装，实现1mm²以下的超小尺寸，同时兼具超低静态电流特性

新模型“ROHM Level 3（L3）”通过采用简化的模型公式，能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时，将仿真时间较以往L1模型缩短约50%

隔离型栅极驱动器IC的抗扰度指标——共模瞬态抗扰度（CMTI）达到150V/ns（纳秒），是以往产品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT开关时令人困扰的高转换速率引发的误动作

采用小型SSOP6封装的“BD1422xG-C”支持+40V的输入电压，非常适用于车身和驱动控制单元中5V/12V驱动的电源网络中的电流监测和保护

白皮书内为工程师介绍硅电容器的市场趋势以及ROHM首款硅电容器的特点，助力您快速了解产品信息。

ROHM面向中小功率（30W～1kW级）的工业设备和消费电子设备，开始提供LogiCoA™电源解决方案

新推出40V～150V耐压的共13款产品，非常适用于工业设备电源和各种电机驱动

有助于配备小型电机的设备减少抗噪声设计工时和部件数量，并降低功率损耗

ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。

入电压范围为－0.2V～＋26V，非常适用于12V和24V电源应用的电流检测用途