利用硅半导体技术同时实现了小型化和高性能的ROHM首款硅电容器

近年来,随着智能手机等设备的功能增加和性能提升,对小型、薄型且支持高密度安装的电容器的需求日益增加。特别是采用薄膜半导体技术的硅电容器,因其与多层陶瓷电容器(MLCC)相比具有厚度更薄、电容量更大,温度特性更优异、即使在高温环境下也不容易发生电容量变化等优点,因此预计未来需求仍将保持强劲态势。在这种背景下,ROHM利用多年来积累的硅半导体加工技术优势,开发出小型高性能硅电容器“BTD1RVFL”(图1)。

硅电容器.JPG


图1. 硅电容器“BTD1RVFL”的产品照片(与0.5mm自动铅笔芯比较)

白皮书内为工程师介绍硅电容器的市场趋势以及ROHM首款硅电容器的特点,助力您快速了解产品信息。