G8PM继电器采用小型化设计，可适配发动机舱狭小空间，且具备高耐热性，在-40℃至+125℃的极端温度下依然能够稳定运行

高性能通信、服务器和计算系统中的ASIC、FPGA和处理器需要使用能直接从12 V或中间总线生成1.0 V（或更低）电压的核心电源

三菱电机开发了高耐压SiC MOSFET，并将其产品化，率先将其应用于驱动铁路车辆的变流器中，。本篇带你了解三菱电机高压SiC芯片技术。

这些元件可承受8/20 µs脉冲的浪涌电流（范围从5 A到400 A），在额定直流电压和室温条件下的漏电流仅为1 µA至25 µA，工作温度范围为-55 °C至+150 °C

以太网 PHY 收发器通过简化现有 ADAS 架构并减少软件栈处理，提高了现有雷达系统汽车架构的精度、效率和探测范围

MTCH2120可提供稳定的触摸体验，不受噪声事件和湿度的影响，同时具有很高的灵活性，可适应个别产品的要求

无论是在建筑物中还是在生产车间，如今在任何地方都需要可编程控制器来调节各种生产过程、机器和系统。

器件采用0102、0204和 0207封装，TCR低至 ± 15 ppm/K，公差仅为 ± 0.1 %，阻值高达10 MW

该系列单级仪表放大器可以在高达 26V 的宽广共模电压范围内，精确测量极小的感测电压，并在2.7V 至 5.5V 的供电范围内工作

TL721x及TL751x系列，增加了边缘AI运算能力，基于这两款芯片的TL-EdgeAI发展平台，将支持主流本地端AI模型

村田制作所开发了实现1公里以上的远距离高速数据传输并支持Wi-Fi®标准“Wi-Fi HaLow™”的通信模块“Type 2HK”和“Type 2HL”

继本田2021年在日本推出配备3级自动驾驶功能的Legend轿车之后，梅赛德斯-奔驰也通过在2024款S级和EQS轿车上配备Drive Pilot选购系统，为美国市场带来了SAE 3级自动驾驶

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计

易飞扬100G SFP112系列光模块采用紧凑且高效的设计，有效简化了双波长和四波长光传输的选择，同时大幅降低了空间占用、功耗和总体成本

ATA650x SBC可通过总线信号控制VCC电源电压，从而降低汽车电子控制单元（ECU）的电流消耗

对于需要从高输入电压转换到极低输出电压的应用，有不同的解决方案。一个有趣的例子是从48 V转换到3.3 V

EITS 系列提供多种 LED 颜色，包括单色和双色选项，并具有定制盖帽，以满足特定应用要求

NSUC1602不仅满足AEC-Q100 Grade 0可靠性标准，能够在极端高温环境（晶圆结温高达175℃）下稳定运行

本文介绍精度更高且速度更快的 ADC 如何在自动化半导体测试仪、数据采集设备和高端线性编码器等站点数量较多的系统中实现更高的精度和更高的吞吐量。

该产品通过集成ARM® Cortex®-M3内核与4路高精度电流型LED驱动，支持16位独立PWM调光和6位模拟调光功能