功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率

本文介绍了寄生FET振荡的理论，通过工作台实验验证了Colpitts模型，在演示板上再现了振荡问题，并使用大家熟悉的解决方案解决了该问题

MT5708是一颗高度集成、高功率密度且符合Qi2.0协议的无线充电接收端芯片，采用电磁耦合技术，支持BPP/EPP和MPP。

KSC DCT是首款提供单刀双掷（SPDT）功能的轻触开关，尺寸为6.2×6.2×5.2毫米，轻薄小巧。开关采用软驱动器，可承受4.75N (+/-1.25N) 的操作力

控制器可提高电源效率并降低待机功耗

本文旨在回顾这种网络技术的演变，并解释消费以太网和工业以太网的区别。

德州仪器采用当前先进的 GaN 制造技术，现启用两家工厂生产 GaN 功率半导体全系列产品

未来随着数据传输速率和接口带宽的迅猛提升，电源完整性（Power Integrity）成为了保障产品稳定运行的重中之重。

本文描述了设计MCU和ADC之间的高速串行外设接口(SPI)关于数据事务处理驱动程序的流程，并简要介绍了优化SPI驱动程序的不同方法及其ADC与MCU配置

“星辰一号”高性能的NPU架构原生支持Transformer大模型，同时高算力的DSP单元为客户化自定义算子的迭代提供可编程能力。

该半导体器件具有高栅极电流能力，可实现高边N沟道MOSFET的快速导通和关断

本文将分享电隔离栅极驱动器的隔离能力评估 ，并介绍其典型的应用市场与安森美可提供的高新能产品选型。

目前应用较多的SiC外延生长方法是化学气相沉积（CVD），本文简要介绍其生产过程及注意事项。

对于控制大功率负载的系统来说，电磁继电器的性能尤为重要。为此，欧姆龙推出了新品——印刷电路板用功率继电器G7EB-1A-E2。

LP6294HSPF 是一款4通道大电流集成运算放大器， 具有45V/uS的高转换速率，静态电流仅4mA，最大不超过10mV的偏移电压，最大峰值电流能力高达1.5A

说起电容的作用，很多电子人脱口而出：滤波。没错，这是大部分电容在电路中的作用，但有一种电容生而不是为了滤波，那就是超级电容

TLX9150M凭借900 V的输出耐压，适用于400 V系统。

本文探讨了汽车电力应用中开关电源的开关频率如何确定，以及高开关频率对电磁兼容性（EMC）的影响。

广和通发布新一代成本优化、小尺寸、低功耗的Cat.1 bis模组MC610-EU/LA，助力全球智能表计、漫游追踪器高效通信。

器件峰值输出电流高达4 A，工作温度高达+125 °C，传播延迟低至200 ns