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第19讲：SiC MOSFET的驱动电路设计（1）

本章节带你了解SiC MOSFET驱动电路设计、驱动电阻选择、死区时间等注意事项。

SGM61111Q 是一款专为高密度设计而优化的高频同步降压转换器，能够实现简单快速的应用部署。

新款OX01N1B是专为驾驶员监控系统摄像头设计的高性价比解决方案，具备行业领先的量子效率、调制传递函数和低功耗

AH4930Q 可检测 X、Y、Z 轴的磁场，实现可靠且高精度的非接触旋转运动与接近检测。

额定循环次数高达100万次，为汽车、医疗、工业和高端消费应用提供卓越的耐用性和可靠性。

根据Counterpoint最新的全球车载无线充电追踪报告，2024年全球车载无线充电系统销量同比增长14%。随着技术的成熟，无线充电正从一个可选的附加功能变成一个标准功能。

新发布的NP系列芯片可用于交流适配器、车载充电器、排插、电动工具电池包、便携储能移动电源以及其他快充输出输入产品等电源应用场景

麦斯塔微电子全新推出的MST1011与MST1511 MEMS 32.768kHz 振荡器，以革新性能为AI智能终端注入高效动能！

系列产品具有超强算力、超快响应、超高精度、高可靠性与高安全性等优势特点，在变频器、伺服、PLC等通用工业控制领域，工业/人形机器人、电梯等高性能电机控制领域

RISC-V可灵活的被设计并用于各种形式的处理器，如xPU/MPU、AI加速器NPU、GPU、FPGA、MCU等

2025-04-18 | RISC-V, AI, Omdia

CV3 系列芯片采用 5nm 车规工艺，搭载第三代 CVflow® AI 计算架构，在实现数百 TOPS 算力的同时，保持了行业领先的每瓦能效比

GaNSafe具有短路保护（最大延迟350ns）、所有引脚均有2kV HBM ESD保护、消除负栅极驱动并具备可编程的斜率控制

SC360AT搭载了SuperPixGain HDR™ 2.0、LFS等多项先进技术，集高感度、高动态范围(高达140dB)、低噪声、低功耗等性能优势并支持LED闪烁抑制

与硅基模块相比，全SiC SLIMDIP的功率损耗降低了79%，混合SiC SLIMDIP的功率损耗降低了47%，可使电器更节能。

BR235 和 BR235D系列在极端环境下具备卓越的性能。经测试验证，可耐受30G振动与200G机械冲击，并在-70°C至125°C温度环境下稳定运行。