快讯

TLX9920适合驱动SSR中所使用的高压功率MOSFET的栅极。通过与高压功率MOSFET结合使用，可以实现光继电器难以支持的高压大电流开关

节省空间型器件工作温度达+165 °C，电感值高达4.70 mH，DCR低至6.6 mW ，从而提升效率

该系列芯片严格满足AEC-Q100车规认证，搭载120V高压工艺，集成硬件过温保护，可在-40℃~125℃极端高低温、强电磁干扰环境下稳定运行

这两天，村田制作所的一纸涨价通知在供应链里迅速引起关注。幅度不算小，15%–35%；时间点也很明确，4月1日起按新单执行

新产品将供电量限制在最大250mW，同时内置了向充电IC供电所需的开关MOSFET等外部器件

新型60V、900mA常开SSR采用紧凑型DIP-4和SMD封装，可提供5000VRMS强化隔离和高达+105°C的可靠运行。

Rambus GDDR7控制器以软IP核形式交付，能够与第三方GDDR7物理层实现无缝协作。该功能为客户提供了“开箱即用”的完整子系统，极大简化了SoC的集成工作

圣邦微电子推出SGM41620，一款采用I²C接口，集成了8A开关电容与4A开关模式降压充电器，并内置PD PHY及双通道LED驱动器的单节电池充电管理方案

这些节省空间与成本的器件可提供高达3.27 A的纹波电流，在+105 °C环境下使用寿命达5000小时

本文探讨AI对存储芯片需求的影响、供应链挑战以及消费趋势变化，同时强调高端产品、新兴市场的机会，以及应对风险和构建韧性的策略。

南芯科技正式发布全系列集成式电流传感器 SCS81XX。该系列推出三种封装形式，每种封装在温漂精度、带宽、电流量程等关键指标上均达到业界领先水平

钍晶科技正式发布全新「TC026A超大面阵红外读出电路芯片」，以2048×2048@10μm硬核规格，打破技术瓶颈，为新一代光电系统升级赋能！

VETH100A1DD1符合OPEN Alliance关于静电保护器件的全部三项EMC测试规范

新控制器优化电源及照明驱动器的空载性能

SC1220IOT搭载思特威ColGain HDR技术，能够通过单帧曝光多增益图像合成，实现最高75dB的高动态范围效果

正在申请专利的创新技术，为先进 AI 和高性能计算封装解决方案提供了可规模化的基础材料

 TM4G0012120K其12mΩ的超低导通电阻（VGS=18V，ID=75A，Tj=25℃）配合1200V的击穿电压能力，为高功率密度应用树立了新的技术标杆

Genio Pro 采用台积电 3nm 先进制程，并整合全大核 Arm V9.2 架构 CPU，包含 1 颗 Cortex-X925 超大核，3 颗 Cortex-X4 超大核及4 颗 Cortex-A720 大核。

SYN765x将AI优化计算能力与集成Wi-Fi® 7相结合，可直接为智能家电、家庭自动化系统及工业物联网（IIoT）应用提供可扩展、实时的智能计算

GD25UF具备优异的功耗与性能表现。该系列支持单通道、双通道、四通道及DTR四通道SPI模式，最高时钟频率STR 120MHz，DTR 80MHz