快讯
三菱电机集团于2026年6月4日宣布，将于同年6月下旬起陆续开始提供两款新型第5代SiC MOSFET裸芯片样品。该芯片适用于电动汽车（EV）、插电式混合动力汽车（PHEV）及其他电动化车辆（xEV）的电机驱动逆变器与eAxles¹（电驱动桥）。第5代SiC MOSFET芯片采用三菱电机独有的沟槽栅结构²，实现了业界先进水平³的低导通电阻⁴，相比现有产品降低约25%⁵。
最近看到一个有趣的视频：一个人形机器人在自主整理客厅，但它不是机械地执行程序，而是学会了像人一样“偷懒”走捷径。毛巾用完直接甩肩上，箱子太大随手夹腋下。这画面让人莞尔，却又细思极妙：机器，开始有“思考”了！当机器人不再盲目遵循指令，而是自主选择路径时，我们该如何确保它选择的“捷径”不会伤到人、不会撞坏东西？这就引出了一系列保障安全的系统设计，它们像一道道看不见的护栏，守护着机器人与人类共处的日常。
株式会社村田制作所开始提供面向车载UWB（Ultra Wide Band）用途的组合方案与电路设计支持。该方案在分立构成中将晶体谐振器「XRCGE55M200MZF1BR0」与热敏电阻「NCU03XH103F6SRL」组合使用，并提供相应编号建议及电路设计支持。本提案及支持主要面向利用UWB的车载应用，如数字钥匙、CPD（Child Presence Detection）、传感器以及Wireless BMS等。
近年来，在车载UWB应用中，随着数字钥匙和安全功能的不断升级，对宽带通信中的高准确度定时控制需求不断增加。然而在高温环境下，仅依靠晶体谐振器本体较难满足所需精度，因此通常需要利用晶体谐振器内置的温度传感器进行补偿。
另一方面，为了优化成本结构，部分客户希望采用晶体谐振器与外置热敏电阻的分立构成方式，但在电路设计及温度补偿方面存在一定难度。
