快讯

思特威重磅发布!1 英寸 5000 万像素旗舰主摄 SC5A6XS 登场

基于思特威全新升级的Lofic HDR® 3.0技术,SC5A6XS大幅优化了Lofic HDR®模式下的成像质量,实现了无惧昼夜的全场景超高动态范围拍摄能力

告别“电老虎”:99.2%SiC双向PFC,重塑能源未来

安富利基于英飞凌CoolSiC™打造了一套3.3 kW高功率密度双向PFC解决方案,它的最高效率可达99.2%,功率密度约72 W/in³,专为下一代高能效应用而生。

加特兰Andes系列芯片获ISO 26262功能安全产品认证

加特兰Andes系列汽车雷达SoC RoP®,集成多核CPU、DSP以及加特兰自研的雷达信号处理器,在信号处理性能上表现优异,应用于前雷达与成像雷达场景。

格科再发力!两款 0.8μm 5000 万像素 CMOS,覆盖手机 + 运动相机全场景

GC50602采用0.8μm、1/2"规格,搭载DAG HDR高动态和PDAF相位对焦技术,支持输出4K 60fps视频,可覆盖多类智能影像应用需求。

24 位 + 64kSPS 同步采样!圣邦微全新精密 Σ-Δ ADC 重磅登场

圣邦微电子重磅推出4/8通道、24位、64kSPS同步采样精密Σ-Δ型ADC—SGM52461S4/SGM52461S8,为多场景精密采样提供更高效、更精准的解决方案!

思特威重磅发布:SC855SL 开启 4K 超星光安防新时代

SC855SL具备高感度、低噪声、高动态范围等性能优势并支持全时录像,能够帮助AI黑光全彩摄像头实现在户外极暗或无光环境下无需补光的4K高清、色彩真实的全彩影像效果。

破解机器人开发痛点!全志MR153四核机器人专用芯片重磅发布

从机器人产品开发流程的痛点出发,全志MR153系列芯片以更精简的硬件设计、更可靠的安全合规、更优的低功耗表现,优化了大部分智能机器人的核心开发难题

Vishay新款光电晶体管光耦合器提高工业应用的精度和能效

这些器件结合了高线性电流传输比(CTR)和0.5 mA的低正向电流,支持高达+125 °C的工作温度,提供了四种封装选择

专为 OCT 而生!长光辰芯发布 GLR1002BSI-S 背照式线阵图像传感器

GLR1002BSI-S有效分辨率为2411(H) x 1(V),具备大像素尺寸10μm(H) x 200μm(V),并凭借先进的背照式工艺,峰值量子效率可达91%(440nm)

美芯晟发布皮肤活体检测光学传感器MT3118

美芯晟正式推出皮肤活体检测光学传感器MT3118。该芯片集成双波长红外光学系统,通过水分吸收差异区分皮肤与其他物体,实现高可靠佩戴检测

突破小天线极限:MAX-M10N + AssistNow,功耗减半,精度跃升

无论是可穿戴设备、车辆、人员、宠物、牲畜还是资产追踪等应用场景,都需要GNSS芯片或模块来计算精确位置。这些设备通常由电池供电,在尺寸和能耗方面受到严格限制。

思特威发布 8K/16K 超高分辨率线阵 CMOS 传感器 赋能工业智能检测升级

SC835LA和SC1635LA可充分满足工业场景下对超长连续物体进行高速检测的应用需求,为智能工业流水线的稳定运行提供高效可靠的视觉支持。

Diodes 推出 AL8859Q 汽车级多相 SPI 增压控制器

AL8859Q集成电流模式多相升压架构,具备宽广的 4.5V 至 60V 输入电压范围,能在标准 5V、12V、24V 及 48V 电源轨上工作。

纳芯微 MT6901:工业高精度电感编码器芯片来了

MT6901凭借双码道信号处理架构,集成了自校准机制,在完成系统标定后芯片的积分非线性(INL)典型值可达到±0.02°

工程师科研神器来了!多维科技发布单轴模拟高频磁强计

HFM2905可精准捕捉磁场频率为DC ~ 1.6MHz的高频磁场信号

东芝推出用于车载设备的光伏输出光耦

TLX9920适合驱动SSR中所使用的高压功率MOSFET的栅极。通过与高压功率MOSFET结合使用,可以实现光继电器难以支持的高压大电流开关

电路板空间告急?Vishay 超小封装电感帮你节省 11%~64% 面积

节省空间型器件工作温度达+165 °C,电感值高达4.70 mH,DCR低至6.6 mW ,从而提升效率

精密感知,安全闪充:比亚迪自研BMS AFE芯片护航二代刀片电池

该系列芯片严格满足AEC-Q100车规认证,搭载120V高压工艺,集成硬件过温保护,可在-40℃~125℃极端高低温、强电磁干扰环境下稳定运行

村田调价,MLCC 结构性周期来了?

这两天,村田制作所的一纸涨价通知在供应链里迅速引起关注。幅度不算小,15%–35%;时间点也很明确,4月1日起按新单执行

突破可穿戴供电瓶颈:ROHM ML7670/7671 正式量产

新产品将供电量限制在最大250mW,同时内置了向充电IC供电所需的开关MOSFET等外部器件