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快讯

工程师科研神器来了!多维科技发布单轴模拟高频磁强计

HFM2905可精准捕捉磁场频率为DC ~ 1.6MHz的高频磁场信号

东芝推出用于车载设备的光伏输出光耦

TLX9920适合驱动SSR中所使用的高压功率MOSFET的栅极。通过与高压功率MOSFET结合使用,可以实现光继电器难以支持的高压大电流开关

电路板空间告急?Vishay 超小封装电感帮你节省 11%~64% 面积

节省空间型器件工作温度达+165 °C,电感值高达4.70 mHDCR低至6.6 mW ,从而提升效率

精密感知,安全闪充:比亚迪自研BMS AFE芯片护航二代刀片电池

该系列芯片严格满足AEC-Q100车规认证,搭载120V高压工艺,集成硬件过温保护,可在-40℃~125℃极端高低温、强电磁干扰环境下稳定运行

村田调价,MLCC 结构性周期来了?

这两天,村田制作所的一纸涨价通知在供应链里迅速引起关注。幅度不算小,15%–35%;时间点也很明确,4月1日起按新单执行

突破可穿戴供电瓶颈:ROHM ML7670/7671 正式量产

新产品将供电量限制在最大250mW,同时内置了向充电IC供电所需的开关MOSFET等外部器件

105℃高温可用!Littelfuse 新款固态继电器来了

新型60V、900mA常开SSR采用紧凑型DIP-4和SMD封装,可提供5000VRMS强化隔离和高达+105°C的可靠运行。

弥合带宽缺口,高性能AI推理如何受益于GDDR7?

Rambus GDDR7控制器以软IP核形式交付,能够与第三方GDDR7物理层实现无缝协作。该功能为客户提供了“开箱即用”的完整子系统,极大简化了SoC的集成工作

圣邦微 SGM41620:集成 8A 开关电容 + 4A 降压充电的单电池管理方案

圣邦微电子推出SGM41620,一款采用I²C接口,集成了8A开关电容与4A开关模式降压充电器,并内置PD PHY及双通道LED驱动器的单节电池充电管理方案

Vishay推出额定电压550 V和600 V的193 PUR-SI系列牛角式功率铝电解电容器

这些节省空间与成本的器件可提供高达3.27 A的纹波电流,在+105 °C环境下使用寿命达5000小时

2026年,存储芯片市场前瞻:机遇与风险全解

本文探讨AI对存储芯片需求的影响、供应链挑战以及消费趋势变化,同时强调高端产品、新兴市场的机会,以及应对风险和构建韧性的策略。

南芯科技推出大带宽高精度集成式电流传感器,进军磁传感市场

南芯科技正式发布全系列集成式电流传感器 SCS81XX。该系列推出三种封装形式,每种封装在温漂精度、带宽、电流量程等关键指标上均达到业界领先水平

国产红外芯片再破局!钍晶 TC026A 超大面阵 ROIC 重磅发布

钍晶科技正式发布全新TC026A超大面阵红外读出电路芯片,以2048×2048@10μm硬核规格,打破技术瓶颈,为新一代光电系统升级赋能!

Vishay ESD静电保护二极管可为汽车以太网提供可靠静电保护

VETH100A1DD1符合OPEN Alliance关于静电保护器件的全部三项EMC测试规范

ST 发布谐振控制器:空载能效 + 无频闪调光双突破

新控制器优化电源及照明驱动器的空载性能

思特威重磅发布 SC1220IOT!1200 万像素 AI 眼镜 CIS 开启穿戴影像新时代

SC1220IOT搭载思特威ColGain HDR技术,能够通过单帧曝光多增益图像合成,实现最高75dB的高动态范围效果

Wolfspeed推出基于300mm碳化硅技术的新一代AI数据中心先进封装基础平台

正在申请专利的创新技术,为先进 AI 和高性能计算封装解决方案提供了可规模化的基础材料

芯塔电子发布1200V/12mΩ SiC MOSFET

 TM4G0012120K其12mΩ的超低导通电阻(VGS=18V,ID=75A,Tj=25℃)配合1200V的击穿电压能力,为高功率密度应用树立了新的技术标杆

3nm 全大核 + 50TOPS!MediaTek Genio Pro 重新定义物联网旗舰

Genio Pro 采用台积电 3nm 先进制程,并整合全大核 Arm V9.2 架构 CPU,包含 1 颗 Cortex-X925 超大核,3 颗 Cortex-X4 超大核及4 颗 Cortex-A720 大核。

Synaptics SYN765x:AI 原生 Wi‑Fi 7 单芯片,来了!

SYN765x将AI优化计算能力与集成Wi-Fi® 7相结合,可直接为智能家电、家庭自动化系统及工业物联网(IIoT)应用提供可扩展、实时的智能计算