株式会社村田制作所开发出能在高温区域中进行高精度温度测量的高性价比SMD型负温度系数（NTC）热敏电阻，扩充了“NCU系列”、“NCP系列”的产品阵容。

2023年全球GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，至2030年有望上升至43.76亿美元，CAGR（复合年增长率）高达49%。

用于表面贴装技术（SMT）的KSC2系列轻触开关是一种IP67、3.5mm高瞬时动作轻触开关，配有软驱动器。

发光二极管是一种半导体光源，当电流通过它时会发光；即一种电致发光的半导体电子器件

对于采用先进开放计算项目(OCP)开放机架第3版(ORV3)架构的数据中心、网络、服务器和存储设备，电源单元(PSU)和BBU是支持它们正常运行的命脉

随着新一轮AI浪潮加速爆发，全球服务器市场持续繁荣，单台服务器的配置和性能也在逐步提升。

Teledyne e2v保证NXP LX2160 16核Arm®Cortex®A72处理器的军级版本在-55°C至+125°C可靠运行。

TVS管和ESD管的区别是：工作原理是一样的，但功率和封装是不一样的；ESD主要是用来防静电，防静电就要求电容值低

本篇将为您继续介绍如何应对在汽车蜂窝车对万物(C-V2X)领域面临的设计挑战。

本章通过简述漏电流的危害，四种不同的电动汽车充电模式，从而引出适用于不同模式的剩余电流传感器

第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来最高功率密度

本指南论述了 60 kW 双有源桥 (DAB) 转换器的设计、开发和测试，该转换器可同时满足电动汽车快速充电机的隔离和调节需求

工程界普遍认为，当升压转换器必须提供高输出电压、在低输入电压下工作、提供高升压比或支持高负载电流时，需使用多相位功能

随着蓝牙低功耗（Bluetooth Low Energy，简称BLE）技术发展到5.2及更高版本，其中最重要的进步之一就是定位跟踪技术

这款MCU具备丰富的模拟特性，内置可编程逻辑单元，可简化硬件设计，是高精度数据处理及灵活信号链设计的嵌入式系统的理想选择

村田首款实现了1608M尺寸且静电容量可达100µF的多层陶瓷电容器

在功率电子领域，一场技术变革正在发生：在越来越多的应用中，GaN和SiC等第三代宽禁带半导体器件正在逐步替代传统的硅（Si）基器件，扮演越来越重要的角色

二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。

本篇将为您介绍一部分用于车联网的主要无线技术。

SGM2535 系列提供反向电流阻断、负载电流指示器输出、可调输出电流限制、可调输入欠压/过压保护、可调输出软起速率和热关断等完善的故障保护功能