什么是IGBT的退饱和(desaturation)? 什么情况下IGBT会进入退饱和状态?
IGBT和MOSFET有类似的器件结构,MOS中的漏极D相当于IGBT的集电极C,而MOS的源极S相当于IGBT的发射极E
全链国产,全系覆盖,全面认证,纳芯微高边开关系列重磅发布!
纳芯微推出的高边开关系列提供1/2/4通道选择,导通电阻范围为8mΩ至140mΩ。客户可以根据不同负载大小灵活选择最适合的产品,从而优化系统性能和可靠性。
解决了!这个模块解决了流式细胞仪设计的多个痛点!
本文将简要介绍流式细胞术系统的工作原理。然后介绍 Analog Devices 的 18 位 ADC 模块 ADAQ23878,并展示如何利用该模块来设计流式细胞仪的检测和转换阶段。





