Diodes推出业界首款同级产品中极小DSN1406 2A 封装的肖特基整流器
judy -- 周四, 03/21/2024 - 14:33
Diodes发布 SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) 肖特基整流器
利用 SiC 设计新一代数据中心冷却系统
judy -- 周四, 03/21/2024 - 10:52
数据中心是数字世界的支柱，其中大量的服务器为互联网、云计算和其他数据驱动型服务赋能。
村田开发出能够以超高水平精度检测姿态角和自身位置的小型6轴惯性传感器
judy -- 周四, 03/21/2024 - 10:27
村田开发了一种在达到了世界超高水平精度的6轴MEMS惯性传感器，噪声低而且输出稳定。
主驱逆变器，为何要选择碳化硅？
judy -- 周四, 03/21/2024 - 10:20
在当今全球汽车工业驶向电动化的滚滚浪潮中，一项关键技术正以其颠覆性的性能改变着电动汽车整体市场竞争力的新格局
瑞萨推出全新MCU，支持高分辨率模拟功能与固件在线升级功能
judy -- 周四, 03/21/2024 - 10:13
RA2A2产品带来多种电源结构和电压检测硬件，可实现高能效、超低功耗运行。
英诺赛科发布60V GaN，为PD3.1提供更多选择
judy -- 周三, 03/20/2024 - 14:54
INN060FQ043A 采用 FCQFN 3mm*4mm 封装，导通电阻 4.3mΩ，在与 40V InnoGaN（INN040FQ043A）封装尺寸及导通电阻保持一致的基础上，将耐压等级提升到60V
Vishay推出旋钮电位器，简化工业和音频应用设计并优化成本
judy -- 周三, 03/20/2024 - 10:50
Vishay Sfernice P16F和PA16F电位器介电强度高达5000 VAC，+40 °C下额定功率为1 W，可用来简化工业和音频应用设计并优化成本。
英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
judy -- 周三, 03/20/2024 - 10:32
CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。
栅极环路电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响分析
judy -- 周三, 03/20/2024 - 10:20
本系列文章将重点讨论直流链路环路电感和栅极环路电感对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响
未来汽车：三大连接技术挑战，如何应对？
judy -- 周三, 03/20/2024 - 10:00
当我们按照这样的愿景，仔细描绘未来汽车及交通运输业的蓝图时，不难发现，“连接”将成为其中越来越重要的一环