圣邦微电子推出 SGM33685 系列 Sub-1G 射频功率放大器（RFPA）。

三菱电机集团宣布将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）样品

具有10TOPS/W能效的新一代AI加速器无需冷却风扇即可提供高达80TOPS的AI推理性能

此次发布的产品包括用于 PoE、eFuse 和继电器替代产品的 100 V 应用专用 MOSFET (ASFET)，采用 DFN2020 封装，体积缩小 60%

Qorvo推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置

由于企业和消费者支出放缓，2023年全球半导体行业的收入下降了8.8%。与2022年相比，2023年半导体整体收入排名也发生了较大变化

新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。

本文将介绍一类新的DC-DC转换器，其中一个例子是LTC3336。它在待机模式下仅消耗约65 nA的电流，非常适合电池供电系统。

半导体功能失效主要包括：腐蚀、载流子注入、电迁移等。其中，电迁移引发的失效机理最为突出。

TDK MHQ1005075HA 电感器大幅提升了在汽车环境中的可靠性。