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三菱电机开始提供集成SBD的SiC-MOSFET模块样品

三菱电机宣布将于5月31日开始提供一款新型集成SBD的SiC-MOSFET模块样品，该半桥模块额定电压为3.3kV，绝缘耐压为6.0kVrms

专有的“低门槛电压”技术带来更好的温控效果，第五代GeneSiC™碳化硅(SiC)二极管实现更高速、更高效的性能

该系列产品拥有2.1 µm像素尺寸、领先业界的150 dB超高动态范围（HDR）和减少LED闪烁（LFM）功能，在汽车应用温度范围内提供高性能、高速和先进的功能

根据《赛博汽车》的不完全统计：2023 年 2 月，国内智能汽车赛道发生投融资事件 22 起，同比增长 57%，累计披露的融资金额达到 86.8 亿元，同比增长 163%。

多维科技TMR7303系列电流传感器产品，采用隔离检测的方式，隔离电压高达4kV（50Hz，1分钟），满足客户应用系统的可靠性要求，并已通过CE认证

AP62500 和 AP62800 的连续输出电流额定值分别为 5A 和 8A，让工程师在开发针对效率或尺寸进行优化的负载点 (POL) 解决方案时，更具弹性

先进的GeneSiC碳化硅技术将实现从10千瓦到兆瓦级别的应用扩展，包括铁路、电动汽车、工业、太阳能、风能和储能等领域，加速实现“Electrify Our World™”使命

该器件有6种型号，适用于400 - 800V电池系统，额定电流最高可达30安培

安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。

1SP0635V2A0D将Power Integrations成熟可靠的SCALE-2™开关性能和保护特性与可配置的隔离串行输出接口相结合，增强了驱动器的设定灵活性，且能提供全面的遥测报告，以实现准确的寿命估算

拓尔微新发布的一颗30V2A 同步COT降压转换器——TMI3342B，超低纹波超快动态响应

Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至190 mΩ之间），提供DFN 5x6 mm和DFN 8x8 mm两种封装

睿感（ScioSense）推出了新品ENS161，这是一款低功耗多气体传感器，使仅靠小容量电池供电的可穿戴和便携式设备能够进行连续的空气质量监测。

本报告包含了与AI应用90 nm至3 nm节点芯片相关的设计、制造、组装、封装测试以及运行相关成本的精细核算

东芝推出新款高速四通道数字隔离器“DCL54xx01”系列，该系列具有100kV/μs（最小值）的高共模瞬态抑制（CMTI）和150Mbps的高速数据速率