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面向GaN功率放大器的电源解决方案

本文将解读PMIC如何用于设计和控制雷达、无线基础设施、卫星通信和其他应用中的RF GaN PA技术

AW13504HFLR是一款采用了国产工艺，具有低插损、高隔离及高耐受功率的单刀四掷（SP4T）开关，适用于HPUE高功率用户设备和5G射频前端。

TRENCHSTOP™ IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度

2023-11-21 | 英飞凌, IGBT

必易微新推出了全集成恒流恒压线性充电芯片 KP64220X，不仅可用于单节锂离子电池，还是目前市面上少见的可用于磷酸铁锂电池的充电芯片产品

英飞凌科技公司已在菲拉赫工厂制备 200 毫米（8 英寸）碳化硅晶圆的电气样品，并正在考虑进军氢能业务

FDA117专为使用浮动电压源控制分立标准功率MOSFET和IGBT而设计，可确保低压驱动输入侧和高压负载输出侧之间的隔离

新的单光子雪崩二极管（SPAD）器件可使得整个近红外（NIR）波段的灵敏度均得到加强，关键波长850纳米和905纳米的灵敏度分别提高40%和35%。

ST54L 可承载多种服务，包括移动支付、移动公交卡、数字车钥匙等NFC应用，以及需要嵌入式 SIM卡(eSIM)的融合服务

这些通孔元件专为超高饱和电流设计，在=100°C电流范围为32A至83A，电感值3.2 µH~10 µH,直流电阻低至0.85 mΩ或1.2mΩ

2023-11-17 | TDK, ERU33, 电感器

新型TA101器件包括CryptoAuthentication™或CryptoAutomotive™安全IC，支持更大的密钥尺寸并符合增强的网络安全要求

全新的OVMed®OH0131 ISP是一款易于实施的解决方案，其先进功能组合可实现较高的图像质量、可靠性和成本效益

这是一条数字化管控的高度自动化产线，可实现最大100多道激光雷达核心环节工序的自动化生产，满足多型号高精度激光雷达量产需求

从2022年至2028年间，MCU预计将以5.2%的复合年均增长率增长，到2028年市场收益将达到320亿美元

这款新编译器专为dsPIC®数字信号控制器（DSC）优化设计，可为实时应用定制许可选项

国星光电全新推出透明衬底MIP-Y0404器件，通过采用扇出型芯片级封装架构，产品实现了“更小、更亮、更黑、更薄、更广”五大特点