X-FAB

X-FAB新一代光电二极管显著提升传感灵敏度

稳健、可靠的器件不仅增强光谱响应速度,同时大幅提升信噪比特性

X-FAB增强其180纳米车规级高压CMOS代工解决方案

XP018平台作为一款模块化180纳米高压EPI技术解决方案,基于低掩模数5V单栅极核心模块,支持-40°C175°C的宽温度范围

X-FAB引入图像传感器背照技术增强CMOS传感器性能

为医疗、汽车和工业客户提供集更高灵敏度、更大像素尺寸和感光面积于一体的传感器工艺平台


X-FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件

新的单光子雪崩二极管(SPAD)器件可使得整个近红外(NIR)波段的灵敏度均得到加强,关键波长850纳米和905纳米的灵敏度分别提高40%和35%。

X-FAB在制造工艺上的突破为电隔离解决方案增加CMOS集成选项

XA035基于350纳米工艺节点,非常适合制造车用传感器和高压工业设备

X-FAB最新的无源器件集成技术拥有改变通信行业游戏规则的能力

基于XIPD平台,可制造出具有更高性能特征的全集成高质量无源元件,从而满足对更紧凑RF/EMI滤波器、匹配网络、平衡器和耦合器的需求。

X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案

通过转移到较低的工艺节点,X-FAB XT011产品的标准单元库密度达到其成熟的XT018 180纳米BCD-on-SOI半导体平台的两倍

是谁在拉动嵌入式存储的技术革新和市场扩张?

近年来,受到全球半导体产能短缺、新冠疫情以及季节性需求等因素的影响,存储器件的价格呈现出较大的波动态势。

X-FAB宣布升级其衬底耦合分析工具,将BCD-on-SOI工艺纳入其中

X-FAB的XT018工艺BOX/DTI功能可以将芯片上的组成功能模块相互隔离,适用于需要与数字模块去耦合的敏感模拟模块,或必须与高压驱动电路隔离的低噪声放大器。