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智能终端的超低功耗时钟解决方案：MST1011 & MST1511

麦斯塔微电子全新推出的MST1011与MST1511 MEMS 32.768kHz 振荡器，以革新性能为AI智能终端注入高效动能！

系列产品具有超强算力、超快响应、超高精度、高可靠性与高安全性等优势特点，在变频器、伺服、PLC等通用工业控制领域，工业/人形机器人、电梯等高性能电机控制领域

RISC-V可灵活的被设计并用于各种形式的处理器，如xPU/MPU、AI加速器NPU、GPU、FPGA、MCU等

2025-04-18 | RISC-V, AI, Omdia

CV3 系列芯片采用 5nm 车规工艺，搭载第三代 CVflow® AI 计算架构，在实现数百 TOPS 算力的同时，保持了行业领先的每瓦能效比

GaNSafe具有短路保护（最大延迟350ns）、所有引脚均有2kV HBM ESD保护、消除负栅极驱动并具备可编程的斜率控制

SC360AT搭载了SuperPixGain HDR™ 2.0、LFS等多项先进技术，集高感度、高动态范围(高达140dB)、低噪声、低功耗等性能优势并支持LED闪烁抑制

与硅基模块相比，全SiC SLIMDIP的功率损耗降低了79%，混合SiC SLIMDIP的功率损耗降低了47%，可使电器更节能。

BR235 和 BR235D系列在极端环境下具备卓越的性能。经测试验证，可耐受30G振动与200G机械冲击，并在-70°C至125°C温度环境下稳定运行。

新唐科技推出 NuMicro® M2A23 系列微控制器，专为汽车与工业应用设计。该系列能够在高达 125°C 的环境温度下运行，并具备多达三组 CAN FD 接口。

超结器件支持高额定功率和高密度，同时能够降低传导和开关损耗，从而提高效率

HC32L021采用了先进的电源管理技术与国产超低漏电工艺技术，确保在各种复杂应用场景下都能有效降低能耗，延长设备的续航时间

这些器件采用夹片式TO-247 封装形式，可直接安装在散热器上，具有高达 75 J/0.1 s的高脉冲吸收能力和 150 W的大功率散热能力

该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理（BBM）功能，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点

新器件重点优化了EMI（抗电磁干扰）、EOS（过电应力）性能，并通过电路设计、封装测试等方面的全面优化，大幅降低了器件成本。

随着智能手机影像功能的不断提升，用户对于拍摄的需求也越来越高。而存储设备，才是决定影像体验能否“丝滑落地”的关键。