快讯

TDK 推出用于NFC应用的全新 IFQ06 高导磁率超薄磁性片

IFQ06 系列材料放置在天线线圈和任何金属表面之间,可将读写器产生的磁通量限制在磁屏内,从而避免金属表面产生感生电流,保持最佳 13.56 ㎒ 通讯条件。

意法半导体推出灵活可变的隔离式降压转换器芯片

意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑,以及低静态电流、3.5V-38V 宽输入电压等优势

村田中国首次亮相中国国际医疗器械博览会,以创新科技,助力智慧医疗

在本届展会上,村田重点展示了其适用于智慧医疗行业的创新产品及成熟的应用解决方案,涵盖智能可穿戴/小型设备、医疗设备、智慧医院等诸多领域

更小、更薄、更轻!兆易创新业界超小尺寸3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封装128Mb SPI NOR Flash面世!

兆易创新推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封装的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH,其最大厚度仅为0.4mm,容量高达128Mb

东芝推出检测电子设备温升的简单解决方案Thermoflagger

新款ThermoflaggerTM IC与PTC热敏电阻结合使用,可根据温度改变电阻值进行监测。它们可检测放置在热源附近的PTC热敏电阻的电阻值变化,并输出FLAG信号以显示过温

电子设备中的语音和音频控制进展

在本文中,我们将解释用语音和音频信号控制电子设备和机器的好处,并回顾如何实现这种控制

三星电子推出首款支持CXL 2.0的CXL DRAM

CXL作为下一代,能够为高性能服务器系统中与CPU一起使用的加速器、DRAM和存储设备提高效率。

智慧医疗市场背后,元器件厂商的核心价值在哪里?

如今的传统医疗行业正面临着资源分配不均、人工供给不足、协作效率低等痛点,加速了医疗行业的深度变革

三菱电机开始提供集成SBD的SiC-MOSFET模块样品

三菱电机宣布将于5月31日开始提供一款新型集成SBD的SiC-MOSFET模块样品,该半桥模块额定电压为3.3kV,绝缘耐压为6.0kVrms

纳微半导体发布新一代650V MPS™ SiC碳化硅二极管

专有的“低门槛电压”技术带来更好的温控效果,第五代GeneSiC™碳化硅(SiC)二极管实现更高速、更高效的性能

安森美推出全新Hyperlux图像传感器系列

该系列产品拥有2.1 µm像素尺寸、领先业界的150 dB超高动态范围(HDR)和减少LED闪烁(LFM)功能,在汽车应用温度范围内提供高性能、高速和先进的功能

汽车芯片的安全谁来保障?

根据《赛博汽车》的不完全统计:2023 年 2 月,国内智能汽车赛道发生投融资事件 22 起,同比增长 57%,累计披露的融资金额达到 86.8 亿元,同比增长 163%。

多维科技推出TMR7303系列高频响板载式电流传感器产品

多维科技TMR7303系列电流传感器产品,采用隔离检测的方式,隔离电压高达4kV(50Hz,1分钟),满足客户应用系统的可靠性要求,并已通过CE认证

Diodes高效率降压转换器提供各种 POL 设计多样性

AP62500 和 AP62800 的连续输出电流额定值分别为 5A 和 8A,让工程师在开发针对效率或尺寸进行优化的负载点 (POL) 解决方案时,更具弹性

纳微半导体发布全新GeneSiC SiCPAK™模块

先进的GeneSiC碳化硅技术将实现从10千瓦到兆瓦级别的应用扩展,包括铁路、电动汽车、工业、太阳能、风能和储能等领域,加速实现“Electrify Our World™”使命

Microchip推出碳化硅电子保险丝演示板 为保护电动汽车应用中的电子设备提供更快、更可靠的方法

该器件有6种型号,适用于400 - 800V电池系统,额定电流最高可达30安培

安森美下一代1200 V EliteSiC M3S器件提高电动汽车和能源基础设施应用的能效

安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件,助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。

Power Integrations推出新款3300V IGBT模块门极驱动器

1SP0635V2A0D将Power Integrations成熟可靠的SCALE-2™开关性能和保护特性与可配置的隔离串行输出接口相结合,增强了驱动器的设定灵活性,且能提供全面的遥测报告,以实现准确的寿命估算

拓尔微推出30V2A 同步COT降压转换器——TMI3342B

拓尔微新发布的一颗30V2A 同步COT降压转换器——TMI3342B,超低纹波超快动态响应

Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET

Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET(RDS(on)值介于80 mΩ至190 mΩ之间),提供DFN 5x6 mm和DFN 8x8 mm两种封装