技术
<p>MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，其驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路。</p>
<p><strong>1、电源IC直接驱动</strong></p>
<p>器件的“寿终正寝”是一种源于物理或化学变化的累积性衰退效应。</p>
<p>大家都知道，电解电容和某些类型的薄膜电容“终有一死”，原因是在微量杂质（氧气等）和电压力的共同作用下，其电介质会发生化学反应。</p>
<p>集成电路结构遵循摩尔定律，变得越来越小，正常工作温度下的掺杂物迁移导致器件在数十年（而非原来的数百年）内失效的风险在提高。另外，磁致伸缩引发的疲劳会使电感发生机械疲劳，这是一种广为人知的效应。某些类型的电阻材料会在空气中缓慢氧化，当空气变得更为潮湿时，氧化速度会加快。同样，没有人会期望电池永远有效。</p>
<p>负反馈因其可以稳定增益、减小失真、扩展带宽、变换阻抗等功能而在电子、控制等诸多领域发挥着重大作用。小至一颗电源芯片，大至一辆汽车，都在负反馈技术的帮助下使我们的生活变得更丰富。然而，负反馈的使用也是有代价的，即可能会导致系统不稳定。</p>
<p>为了了解系统的稳定性情况，最直接、精确的方式就是测量系统的相位裕量(Phase Margin/ PM)，我们通常会使用环路分析仪进行测试。</p>
<p>小编今天向大家介绍另一种方法，即通过测量过冲情况（OS）得到系统的相位裕量。</p>
<p><strong>电路的二阶系统化</strong></p>
<p>文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/ZLgdqvI7efN3brDGlIGwnw">得捷电子DigiKey</a></p>
<p><strong>交流/直流转换器耐压绝缘测试</strong></p>
<p><strong>工作温度范围</strong></p>
<p>工作温度范围是指可维持IC所期待的功能，进行正常工作的范围。</p>
<p>IC的特性会因温度的不同而发生变动。</p>
<p>因此，未作特别指定时，25℃环境下规定的规格值不能保证不变。</p>
<p>作为保证温度范围的项目，有全温度范围保证项目。</p>
<p>这是工作温度范围内考虑了IC特性变动的规格值。</p>
<p><strong>最大接合部温度和保存温度范围</strong></p>
<p>TVS二极管（ESD保护二极管）是一种齐纳二极管。它是用于解决静电放电（ESD）问题的二极管。它可以保护集成电路和其它电路，以免USB线路的高压静电放电进入电路。</p>
<p>TVS二极管将吸收接口、外部端子等的异常电压，防止电路故障并保护器件。它适用于吸收和抑制静电或短脉冲电压。</p>
<p><strong>晶振概述</strong></p>
<p>晶振一般指晶体振荡器。晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片），石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振；</p>
<p>而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。</p>
<p><strong>晶振工作原理</strong></p>
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<section><strong>什么是阻抗</strong></section>
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<p> 在电学中，常把对电路中电流所起的阻碍作用叫做阻抗。阻抗单位为欧姆，常用Z表示，是一个复数：</p>
<p>Z= R+i( ωL–1/(ωC))</p>
<p><strong>1. 什么叫钽电容器</strong></p>
<p>电容器是瞬间储蓄电荷的器件，其性能体现在能储蓄多少电荷。使用了对储蓄电荷有优异特性的钽元素的电容器被称为钽电容器。</p>
<p><strong>2. 电容器的种类</strong></p>
<p>电容器大致用于以下三种用途。钽电容器作为电容器的一种，也被用于同样的用途。</p>
<p><strong>1. 储能用途</strong></p>
<p><img alt="储能用途" data-entity-type="file" data-entity-uuid="00efba66-6dd6-4db7-a735-a9fe55e05868" src="/sites/default/files/inline-images/1.%20%E5%82%A8%E8%83%BD%E7%94%A8%E9%80%94.jpg" /></p>
<p> 文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/Z4he2OUWN-Hb2lrh6ZN0dg">得捷电子DigiKey</a></p>
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<p><strong>问：陶瓷电容的温度系数额定值</strong></p>
<p>如图2-6（a）所示，TVS二极管（ESD保护二极管）在短时间内吸收很高的过电压，其作用是避免对其它半导体器件施加过大的电压。另一方面，如图2-6（b）所示，齐纳二极管将输入电压钳制为恒定电压，并将钳制的电压提供给其它半导体器件。</p>
<p>因此两者的差异在于，TVS二极管吸收浪涌电压以保护其它半导体器件，而齐纳二极管为其它半导体器件提供恒定电压。</p>
<p>鉴于全球能源危机，当前电子设备的重点是实现高功率与低能耗的结合。因此，许多电子公司都在提高其众多产品规格中的效率标准。然而，常规的硬开关转换器几乎无法满足这些要求。所以，电源单元的开发人员已经转向诸如LLC谐振转换器之类的软开关拓扑，以提高效率并实现更高的工作频率。但是，他们必须考虑以下几个方面的问题。</p>
<p>开关电源调试时最常见的10个问题，做为工程师的你还不知道吗？PS：内附解决方法！</p>
<p><strong>1、变压器饱和</strong></p>
<p><strong>变压器饱和现象</strong></p>
<p>在高压或低压输入下开机(包含轻载，重载，容性负载)，输出短路，动态负载，高温等情况下，通过变压器(和开关管)的电流呈非线性增长，当出现此现象时，电流的峰值无法预知及控制，可能导致电流过应力和因此而产生的开关管过压而损坏。</p>
<p> </p>
<p>场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，但这都是相对的。电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。就其性能而言，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能。</p>
<p>可变电容二极管是利用耗尽层电容特性的产品。当施加反向电压时，耗尽层出现在二极管的pn结中，其厚度与反向电压成正比。</p>
<p>因此，随着反向电压的增加，耗尽层厚度增加，但电容减小。其作用与增加电容器两个电极之间的距离相同。相反，如果反向电压减小，耗尽层厚度减小，但电容增加。</p>
<p>它应用于调谐电路等。由于这种电容变化会改变频率特性，因此与普通二极管相比，需要较大的容量变化率。</p>
<p>IGBT7作为英飞凌最新一代IGBT技术平台，它与IGBT4的性能对比一直是工程师关心的问题。本文通过FP35R12W2T4与 FP35R12W2T7在同一平台伺服驱动中的测试，得到了相同工况下IGBT4与IGBT7的结温对比。实验结果表明，在连续大功率负载工况与惯量盘负载工况的对比测试中，IGBT7的结温均低于IGBT4。</p>
<p><em>作者：Marian Hryntsiv, Dialog半导体公司（瑞萨全资子公司）文档工程师</em></p>
<p><strong>简介</strong></p>
<p>很多应用在其用户控制界面中采用机械电位计。我们可以将这些机械电位计换成更新且可靠的编码器控制元件和数字变阻器，它们是改变信号电气参数的组件。</p>