技术
<p>安全性和舒适性不断增强的汽车搭载了很多电子设备。电子电路有信号线路和电源线路，需要分别采取防噪声对策。TDK的共模滤波器的特点是可以根据用途分别提出多种产品阵容，准备了追求小型薄型化的产品群、为了在车载用途中能应对严格的环境条件，采用独有端子结构的产品群。本章将介绍电源线路用共模滤波器。</p>
<p><strong>DC输入滤波器电路基本构成</strong><br />
DC输入滤波器电路的滤波构成受基板图案的接地方法很大影响，需要根据使之衰减的频带和噪声传播途径分别使用适当的部件。在EMI对策中，设计初期阶段最好采用能配置电感器（L）、电容器（C）、共模滤波器（CMF）的图案构成。</p>
<p>对于一直在设法提高效率和功率密度并同时维持系统简单性的功率设计师而言，碳化硅（SiC）MOSFET的高开关速度、高额定电压和小RDS(on)使得它们具有十分高的吸引力。然而，由于高开关速度会导致高漏源电压（V<sub>DS</sub>）峰值和长振铃期，它们会产生电磁干扰，尤其是在电流大时。本文提供了一个较好的解决方案来优化电磁干扰和效率之间的平衡。这种方法已经采用1200V 40mOhm器件进行了双脉冲测试验证。</p>
<p><strong>什么是运算放大器？</strong><br />
运算放大器(Operational Amplifier)是一种差分放大器，具有高输入电阻、低输出电阻、高开放增益（开环增益），并具有可放大+输入引脚与-输入引脚间的电压差的功能。</p>
<p>每个电路由正侧电源引脚、负侧电源引脚、+输入引脚、-输入引脚、输出引脚等5个引脚构成。</p>
<p>*通常电源、输入、输出分类以外的引脚名称未进行统一</p>
<p><strong>运算放大器、比较器的图解符号</strong></p>
<p><em>比较SiC开关的数据资料并非易事。由于导通电阻的温度系数较低，SiC MOSFET似乎占据了优势，但是这一指标也代表着与UnitedSiC FET相比，它的潜在损耗较高，整体效率低。</em></p>
<img alt="苹果" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="ced7c0ab-5949-40c4-bd61-e1103169ae78" src="/sites/default/files/inline-images/%E8%8B%B9%E6%9E%9C.png" />
<p>许多设计中都需要半导体脚端弯曲。本博客讨论为实现可靠结果需要避免的错误和遵守的建议。</p>
<p>我们在实验室做过实验，一个穿孔功率晶体管需要脚端弯曲以插入试验电路板，而我们使用钳子来实现弯曲。我们及时重新连接了ESD腕带，紧盯钳角，然后进行弯曲。弯曲后的奇怪交错间距导致无法插入，所以我们将针脚弄直，然后重试。这次，我们用钳子夹住针脚，利用一个“经过校准”的拇指位置来掰弯针脚。这次看起来好一些，但是之后，一个针脚掉了下来，因为金属不是能实现零弯曲半径的材料，尤其是第二次弯曲。您可能在想，圆头钳不也是金属做的吗？</p>
<p><strong>运算放大器的电路结构</strong></p>
<p>运算放大器的内部电路结构如下所示。</p>
<p>一般由输入段、增益段、输出段等3段电路构成。</p>
<p>输入段由差分放大段构成，用于放大两个引脚间的电压差。 另外，同相信号成分（引脚间无电位差，输入相等电压的状态）不放大，起抵消作用。</p>
<p>若仅靠该差分放大电路，则增益不足，因此使用增益段进一步增加运算放大器的开放增益。</p>
<p><br />
普通运算放大器的增益段间连接了防振相位补偿电容。</p>
<p>漏电流是一个重要的电容的参数，以安规电容<a dir="ltr" href="https://www.digikey.cn/zh/supplier-centers/vishay-vitramon">Vishay</a>的… dir="ltr" href="
<p>电路设计过程中，应用工程师往往会忽视印刷电路板(PCB)的布局。通常遇到的问题是，电路的原理图是正确的，但并不起作用，或仅以低性能运行。</p>
<p>那如何正确地布设运算放大器的电路板以确保其功能、性能和稳健性呢？</p>
<p><strong>事件重现</strong></p>
<p>工程师与自己的实习生利用增益为2V/V、负荷为10k、电源电压为+/-15V的非反相配置OPA191运算放大器进行设计。图1所示为该设计的原理图。</p>
<p>一个稳定的直流电源是电子装置必不可少的组成部分，它通常由交流电经过稳压、整流和滤波电路组成。</p>
<p><strong>简介：</strong><br />
整流电路的作用是将交流降压电路输出的电压较低的交流电转换成单向脉动性直流电，这就是交流电的整流过程，整流电路主要由整流二极管组成。经过整流电路之后的电压已经不是交流电压，而是一种含有直流电压和交流电压的混合电压，习惯上称单向脉动性直流电压。</p>
<p>在这里将总结我从别处转帖获得的资料和自己的见解介绍如下内容：</p>
<p>1：整流电路的基本工作原理及简单计算</p>
<p>在电源与充电桩等高功率应用中，通常需要专用驱动器来驱动最后一级的功率晶体管。这是因为大多数微控制器输出并没有针对功率晶体管的驱动进行优化，如足够的驱动电流和驱动保护功能等，而且直接用微控制器来驱动，会导致功耗过大等弊端。</p>
<p>功率半导体开关通常在用于电路设计时，能够在不增加开关损耗的情况下减小电流传导期间的损耗，这是其一大优势。在各种电路保护应用中，器件需要连续传送电流，较低的传导态损耗有利于使系统保持较高的效率，并将产生的废热降至最低。如果在这些应用中需要放心地使用这些功率开关，必须满足各种类型的耐用性标准。</p>
<p>“半导体”是一种特性介于“导体”和“绝缘体”之间的物质，前者像金属一样导电，后者几乎不导电。电流流动的容易程度与物质电阻的大小有关。如果电阻高，电流很难流动；如果电阻低，电流容易流动。</p>
<p>用电阻系数表示电导率时，半导体的电阻系数分布在10-4至108 Ωcm之间，导体的电阻系数分布在10-8至10-4Ωcm之间，绝缘体的电阻系数分布在108至1018Ωcm之间。</p>
<p>压力传感器是传感器中较大门类，广泛应用于汽车、工业、物联网等领域，陶瓷电容作为压力传感器中一种主要技术路线，具有耐腐蚀、抗冲击、介质兼容性好的优点，。本文介绍陶瓷电容原理及典型应用，以供压力传感器工程人员参考。</p>
<p><strong>常用压力传感器技术类型</strong></p>
<p>压力传感器一般用于对传感器敏感器件所处气体或液体氛围的压力测量，一般用于反馈给系统主控单元，实现系统精确控制。压力传感器作为传感器中的一大门类，在汽车、工业、家电、消费电子等不同行业均有广泛的应用。常用压力传感器从感测原理来区分，主要包括如下几大类：</p>
<p>钽电容器是一种电介体使用了钽金属的电介电容器。在钽金属粉表面形成五氧化钽膜，作为电介体。其特点如下表所示。相比其他电容器，钽电容器为小型，大容量产品。相比陶瓷电容器等大容量产品，对于电压和温度具有非常高的容量安定性。</p>
<p><strong>电容器特点对比一览表</strong></p>
<p>问一个简单而又很难回答的电路问题：电路中的地线GND，它的本质是什么？</p>
<p>在PCB Layout布线过程中，工程师都会面临不同的GND处理。</p>
<p>这是为什么呢？在电路原理设计阶段，为了降低电路之间的互相干扰，工程师一般会引入不同的GND地线，作为不同功能电路的0V参考点，形成不同的电流回路。</p>
<p><strong>GND地线的分类</strong></p>
<p><strong>1. 模拟地线AGND</strong></p>
<p><em>作者：周利伟 ，文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/6TRUWXnrF7yPQaAtI1ldmQ">英飞凌工业半导体</a></em></p…;
<p><em>作者：法拉电子技术中心 黄顺达</em></p>
<p>所有电容器的性能、储存寿命和使用寿命很大程度取决于他们所在的环境条件。不仅要考虑单一环境因素对电容器的关系，而且必须要考虑这些环境因素不同组合的效应。</p>
<p>影响电容器性能和寿命的主要环境因素是:环境温度、湿度、振动、冲击、加速度及大气压力等，对这些单一的环境因素影响扼要讨论如下：</p>
<p><em>作者：Yalcin Haksoz, 英飞凌科技首席工程师</em></p>
<p><strong>引言</strong></p>
<p>当今的功率变换器设计师正在努力寻找新技术新方法，以进一步提高变换器的效率极限和功率密度极限。基于宽带隙半导体技术的氮化镓（GaN）晶体管是目前最具潜力的技术方向之一。与硅器件相类似，单只GaN晶体管的电流处理能力仍有局限。在大功率变换器设计应用中，并联配置GaN晶体管是目前常用的解决方案。由于GaN晶体管材料和结构的特殊性，其并联配置方案与传统硅晶体管并联配置方案有所不同。</p>