技术
<p>随着产品的电子化和高密度化发展，噪声环境变得越来越差，对于放大传感器等微小信号的运算放大器来说，降噪对策已经成为重要课题。</p>
<p>近年来，已经推出了很多抗雜訊运算放大器，市场对这类产品的需求也与日俱增。在这里介绍一下这些噪声的定义。</p>
<p><strong>噪声特性</strong></p>
<p>噪声通常被称为“EMC（Electromagnetic Compatibility，电磁兼容性）”，是指“不对其他设备产生噪声干扰；即使受到来自其他设备的噪声干扰，仍保持原有的性能”这两种性能。但是，在现场中具体使用时，使用“EMI”和“EMS”这两种由EMC分类出来的表达方式。</p>
<p>光继电器是一种光耦。光耦由输入侧的一个LED和输出侧的一个光电检测器组成，二者在内部组合在一起；光耦产品会因输出侧光电检测器的类型而有所不同。光耦产品的主要类型包括晶体管输出光耦、IC输出光耦、双向可控硅输出光耦和MOSFET输出光耦（称为“光继电器”）。</p>
<p>n型半导体是指以磷（P）、砷（As）或锑（Sb）作为杂质进行掺杂的本征半导体。第IV组的硅有四个价电子，第V组的磷有五个价电子。如果在纯硅晶体中加入少量磷，磷的一个价电子就可以作为剩余电子自由移动（自由电子*）。当这个自由电子被吸引到“＋”电极上并移动时，就产生了电流流动。</p>
<p>运算放大器中有表示特性的代表性参数。</p>
<p><strong>放大率和电压增益<放大率和电压增益></strong></p>
<p>若给放大电路的输入增加电压，则在其输出时，会出现输入电压放大率的倍数。该放大率用输出电压的大小除以输入电压的大小所得的值表示。</p>
<p><strong>陶瓷电容真的会老化？什么是十倍时？</strong></p>
<p>随着时间的推移，陶瓷电容会因结构的变化而失去一部分容值。这种损耗是无法避免的，但可以测量并确定。原厂通常会使用十倍时作为这一损失的计量单位。</p>
<p><em>作者：周利伟，英飞凌工业功率控制事业部大中华区应用工程师</em></p>
<p>在我们的日常工作中，经常会碰到器件失效或系统故障，这时为了清楚界定失效事件的严重性，就需要定量的来描述具体的失效率，这就需要用专业的术语来沟通，而有的工程师喜欢谈FIT，有的工程师喜欢谈MTBF，其实这两个概念所描述的主体是不一样的，因此有必要在此简析一下。</p>
<p>FIT，是英文Failures In Time的缩写，从其字面意思可知，它是以时间维度来表述失效率的，实际上它是描述“器件”失效率或故障率的单位。故障率(λ)是指正常工作的n个器件在运行一定时间t之后，其中丧失其规定的功能的r个器件所占的比例，公式表述为：</p>
<p>输入偏置电压是指有差分输入电路的运算放大器或比较器带有的误差电压。理想运算放大器或比较器的偏置电压为0V。</p>
<p>给运算放大器或比较器的输入引脚输入同相（相同）电压时，理想运算放大器不会输出偏置电压，但存在输入偏置电压时，就会输出与输入偏置电压相应的输出电压。</p>
<p>将该输出电压控制为0V所需的输入引脚间的电压差被称为输入偏置电压，该值为输入换算值。</p>
<p>作为输入换算表示的优点是，由于运算放大器、比较器可在各种放大率或电路结构中使用，若作为输入换算电压表示，那么就可以轻松地估量其对输出电压的影响。</p>
<p>偏置电压的单位一般表示为[mV]或[µV]。</p>
<p>碳化硅（SiC）是一种宽带隙半导体，其带隙宽度为3.26eV，远高于硅（Si）的带隙宽度（=1.12eV）。SiC具有较高的击穿电场和较高的热导率，这是由于它具有较低的晶格常数（即较短的原子间距离）从而具有较高的原子键。</p>
<p data-navititle="Si和SiC的物理性质比较 "><strong>Si和SiC的物理性质比较</strong></p>
<p>在开关电源电路中，MOSFET作为最核心的器件，却也是最容易发热烧毁的，那么MOSFET到底承受了什么导致发热呢？本文来带你具体分析。</p>
<p><strong>MOSFET工作原理</strong><br />
什么是MOSFET？MOSFET是全称为Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体。</p>
<p>实际使用中，电源的来源从来都不理想。构建可靠的电力系统需要考虑包括寄生在内的实际行为。在使用电源时，我们要确保开关稳压器等DC-DC转换器能够承受一定的输入电压范围，并能以足够的电流产生所需的输出电压。输入电压经常指定为一个范围，因为通常无法精确调节。但是，为了使电源可靠地工作，输入电压必须始终在开关稳压器允许的范围内。</p>
<p>例如，12 V电源电压的典型输入电压范围为8 V至16 V。图1所示为从12 V标称电压产生3.3 V电压的降压型转换器（降压拓扑）。</p>
<p>除了硅，还有结合了第III组和第V组元素以及第II组和第VI组元素的化合物半导体。例如，GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、InGaAlP（磷化铝镓铟）等通常用于高频器件和光学器件。</p>
<p>近年来，InGaN（氮化铟镓）作为蓝光LED和激光二极管的材料引起了人们的广泛关注，SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为功率半导体材料也得到了一定程度上的关注和商业化。</p>
<p>p型和n型半导体之间的接触面即称为PN结。</p>
<p>p型和n型半导体键合时，作为载流子的空穴和自由电子相互吸引、束缚并在边界附近消失。由于在这个区域没有载流子，所以它被称为耗尽层，与绝缘体的状态相同。</p>
<p>在这种状态下，将“＋”极连接到p型区，将“-”极连接到n型区，并施加电压使得电子从n型区顺序流动到p型区。电子首先会与空穴结合而消失，但多余的电子会移动到“＋”极，这样就产生了电流流动。</p>
<p>转换速率是表示运算放大器的工作速度的参数。</p>
<p>表示输出电压在规定的单位时间可变化的比例。</p>
<p>例如，1[V/µs]表示在1[µs]内可使电压发生1[V]的波动。</p>
<p>理想运算放大器可忠实地输出任何输入信号对应的输出信号，但实际上还存在一种叫做转换速率的限制。</p>
<p>给输入施加上升沿和下降沿比较陡峭的矩形波脉冲时，表示输出电压在单位时间内可发生什么程度的变化。下图表示转换速率的定义。</p>
<p><strong>转换速率测量电路和波形图</strong></p>
<p><strong>负反馈系统</strong><br />
运算放大器是具有高电压增益的放大器，但几乎不是运算放大器单体进行放大。</p>
<p>原因是开环增益存在偏差，或带宽较窄，难以控制放大率。</p>
<p>因此，一般构成负反馈电路后使用。</p>
<p>下图表示负反馈系统的模型。</p>
<p><em>作者： 工程师 Barley Li,文章来源：<a href="https://www.digikey.cn/zh/forum/t/topic/704">Digi-Key </a></em></p>
<p>在市场上，你会发现，有些振荡器是MEMS类型，而有些则不是。他们之间有什么区别呢？</p>
<p><em>作者：Steven Keeping 来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/mLyDByKVcqJPOqgDlNQhjg">得捷电子DigiKey</a></em>…;
<p>使用半导体的电子部件称为半导体器件。</p>
<p>随着应用领域的扩大和电子设备的发展，各种半导体器件得到了不断开发。“分立半导体”是指具有单一功能的单个器件，比如晶体管和二极管。“集成电路（IC）”是指在一个芯片上安装有多个功能元件的器件。典型IC包括存储器、微处理器（MPU）和逻辑IC。LSI则提高了IC的集成度。按一般功能／结构，具体分类如下所示。</p>
<p><em>文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/ECgHb5dpyPnqIsqBgFRyeA"> 得捷电子DigiKey</a…;
<section><strong>当5环电阻并非真的5环电阻时</strong></section>