技术
<p>本文转载自：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/omw8PlNazGXNjdqReDSI0A">罗姆半导体集团</a></p>
<p>本文将谈一谈使用有刷直流电机驱动器IC进行PWM驱动时，通过输出MOSFET的寄生二极管进行电流再生时的功耗。之所以讨论这个话题，是因为再生时的实际功耗可能会大于估算值，在某些情况下可能会引发问题，所以需要注意。</p>
<p>双极晶体管有两种类型：NPN型和PNP型。NPN型产品涵盖低耐受电压到高耐受电压产品。耐受电压为400V或以下的PNP型产品，特别是耐受电压为200V或以下的PNP型产品是主流产品。</p>
<p>它们有放大功能，可以将小信号转换成大信号。集电极电流IC与基极电流IB（IC／IB）之比称为直流电流增益，用hFE表示。</p>
<p>当小电流（IB）从基极流向发射极时，电流IBx hFE从集电极流向发射极。</p>
<p><em>作者： 陈虎，文章转载：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/sqRN1SXLKlcNC4IUCSk0QQ">凡亿PCB</a></em></p>
<p>首先我们需要知道什么是ESD？</p>
<p>利用二极管的单向导电性可以设计出好玩、实用的电路。分享本文，分析限幅电路和钳位电路，是如何用二极管来实现的。</p>
<p><strong>限幅电路</strong></p>
<p> 如下图所示，当在正半周期，并且V<sub>IN</sub>大于等于0.7V，二极管正向导通。此时，</p>
<p>V<sub>OUT</sub>会被钳位在0.7V上。</p>
<p>BRT是指偏置电阻内置型晶体管。BJT通常配合电子设备中的电阻器使用。使用BRT（集成了晶体管和电阻器）可以减少安装面积。</p>
<p><img alt="BJT的应用示例" data-entity-type="file" data-entity-uuid="2e7b1324-bff0-40da-8617-331af1ddc649" src="/sites/default/files/inline-images/chap3-3-1_en.png" /></p>
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<p>文章来源： <a href="https://mp.weixin.qq.com/s/ufj8Qt2Mhf8uhj-BaWHrQA">得捷电子DigiKey</a></p>
<p><strong>问：运算放大器输出电压反相</strong></p>
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<p><em> 作者：陈子颖 ，来源： <a href="https://mp.weixin.qq.com/s/7570E9ROZWc0Z5_OZvdaIA">英飞凌工业半导体</a></em></p…;
<p><strong>IGBT短路特性</strong></p>
<p>电源输出电容一般是100 nF至100 μF的陶瓷电容，它们耗费资金，占用空间，而且，在遇到交付瓶颈的时候还会难以获得。所以，如何最大限度减小输出电容的数量和尺寸，这个问题反复被提及。</p>
<p><strong>输出电容造成的影响</strong></p>
<p>论及此问题，输出电容的两种影响至关重要：对输出电压纹波的影响，以及在负载瞬变后对输出电压的影响。</p>
<p>MOSFET是一种常见的电压型控制器件，具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、安全工作区域(SOA)宽等一系列的优点，因此被广泛的应用于开关电源、电机控制、电动工具等各行各业。栅极做为MOSFET本身较薄弱的环节，如果电路设计不当，容易造成器件甚至系统的失效，因此发这篇文章将栅极常见的电路整理出来供大家参考讨论，也欢迎大家提出自己的观点。</p>
<p>MOSFET栅极电路常见的作用有以下几点：</p>
<p>1、去除电路耦合进去的噪音，提高系统的可靠性。</p>
<p>2、加速MOSFET的导通，降低导通损耗。</p>
<p><em>本文转载自：<a href="https://www.mouser.cn/blog/cn-rfid-nfc-intro-with-solutions2">贸泽电子</a><…;
<p>我们生活在一个日益无线化的世界，无现金支付或访问控制已经成为常态化。细心的读者可能早已注意到，一些商店的收银台也开始出现“无人化”趋势，比如优衣库、迪卡侬这些大家时常光顾的商店，均已采用自助式结账。</p>
<p><strong>JFET的操作</strong></p>
<p>JFET：结型场效应晶体管</p>
<p>（1）在N沟道结型场效应晶体管（图3-3（a））中，当在漏极和源极之间施加电压时，电子从源极流向漏极。</p>
<p>（2）当在栅极和源极之间施加反向偏压时，耗尽层扩大并抑制（1）中的电子流动。（使电子流动的路径变窄）</p>
<p>（3）如果栅极和源极之间的反向偏压进一步增加，耗尽层就会阻塞通道，电子流动停止。</p>
<p>如上所示，施加在栅极和源极之间的电压控制着漏极和源极之间的状态。所以场效应晶体管是电压驱动的器件。</p>
<p>相移全桥电路中轻负载时流过的电流小，LS中积蓄的能量少，所以很有可能在滞后臂的C<sub>OSS</sub>充放电完成之前就开始开关工作。因此，ZVS工作无法执行，很容易发生MOSFET的导通损耗。</p>
<p>半导体元器件在整机应用端的失效主要为各种过应力导致的失效，器件的过应力主要包括工作环境的缓变或者突变引起的过应力，当半导体元器件的工作环境发生变化并产生超出器件最大可承受的应力时，元器件发生失效。应力的种类繁多，如表1，其中过电应力导致的失效相对其它应力更为常见。</p>
<p>金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前最受关注的晶体管。</p>
<p>MOSFET有两种类型：N沟道（参见下图3-4（a）N沟道）和P沟道（参见下图3-4（b）P沟道）。</p>
<p>N沟道广泛用于AC／DC电源、DC／DC转换器、逆变器设备等，而P沟道则用于负载开关、高边开关等。</p>
<p>双极晶体管和MOSFET之间的差异如表3-1所示。</p>
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<p><strong>关键要点</strong></p>
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<p>利用二极管的单向导电性可以设计出好玩、实用的电路。本篇将分析限幅电路和钳位电路，是如何用二极管来实现的。</p>
<p><strong>限幅电路</strong></p>
<p>如下图所示，当在正半周期，并且VIN大于等于0.7V，二极管正向导通。此时，VOUT会被钳位在0.7V上。</p>
<p>而当VIN小于0.7V时二极管是截止状态，在负半周期时相当于电流反向，二极管也是截至状态，此时VOUT=VIN，VOUT波形跟随VIN变化。</p>
<p>我们常常想当然地为印刷电路板上的电路上电，殊不知这可能造成破坏以及有损或无损闩锁状况。随着片上系统(SoC) IC越来越多，对电源进行时序控制和管理的需求也越来越多……</p>
<p>虽然ADI的数据手册通常会提供足够的信息，指导您针对各IC设计正确的上电序列。然而，某些IC明确要求定义恰当的上电序列。在使用多个电源的IC中，如转换器（包括ADC和DAC）、DSP、音频/视频、射频及许多其它混合信号IC中，这一要求相当常见。</p>
<p>尖峰电流的形成：</p>
<p>数字电路输出高电平时从电源拉出的电流Ioh和低电平输出时灌入的电流Iol的大小一般是不同的，即：Iol＞Ioh。以下图的TTL与非门为例说明尖峰电流的形成：</p>
<p><img alt="1" data-entity-type="file" data-entity-uuid="960db267-ca54-44e4-8270-86b22e4a287c" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE1_106.png" /></p>
<p>关于BJT和MOSFET开关操作差异的解释。</p>
<p>（1）基极电压升高时，BJT的基极电流开始流动，集电极电流与基极电流成正比。大约从0.7V开始发生电流流动。这个电压被称为基极-发射极阈值电压（VBE）。为了使集电极电流流动，需要提供基极电流，并且需要连续的驱动功率。（需要低驱动电压、连续驱动功率）</p>
<p>（2）由于MOSFET根据栅极-源极电压形成一个沟道，这个电压必须是一定的或更高的电压。一旦沟道形成，导通状态继续，漏极电流继续流动，因此所需的驱动功率很小。通过释放积聚在栅极中的电荷并移除沟道，它将转变为关闭状态。（驱动电压高于BJT，驱动功率小）</p>