技术

众所周知，说到延时，很多人都会想到用软件件来实现，比如定时器之类的。今天就来说说用硬件来实现定时的方式，虽说没有那么准，但是有些场合还是用得到的。今天我们来介绍一下6种延时电路工作原理。

1、精确长延时电路图

我们将参照图3-6（a）来解释MOSFET的工作原理。 
（1）在漏极为正极的漏极和源极之间施加电压。（漏极-源极电压：VDS） 
（2）在栅极为正极的栅极和源极之间施加电压。（栅极-源极电压：VGS） 
（3）其结果是，电子被吸引到栅极绝缘膜下面的p型层上，部分p型层转变为n型区（p型层中的n型区称为“反转层（沟道）”）。 
（4）当这个反转层完成时，MOSFET漏极到源极将形成n层路径。 
（n＋⇔n－⇔ 反转层（n）⇔ n＋） 
（5）因此MOSFET在低电阻下工作，漏极电流由外加VDS和负载流决定。

用实验来证明，不同条件下的热阻数值千差万别

本文将会给出实际的热阻数据示例。

实际的热阻数据示例

通常在IC的技术规格书中都会提供IC热阻相关的信息。但是，所提供的热阻类型和设置可能会因IC的种类（例如用于信号处理的低功耗运算放大器、用于供电的热设计很重要的稳压器等）不同而略有不同。另外，也会因IC制造商而异。

大功率二极管晶闸管知识连载——保护

功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS，交流静态开关，SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘来自英飞凌《双极性半导体技术信息》。

7.保护

晶闸管和二极管必须得到可靠的保护，避免电流和电压过高以及控制电路中的脉冲干扰。

7.1 过压保护

总体而言，装置中产生过压的原因如下：

新半导体技术将提升功率转换效率

本文转载自：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/Fn-b88EM6wZ-AbrZ-FWW5A"> UnitedSiC微信公众号…;

摘要

【科普小贴士】MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素

（1）MOSFET器件结构将根据要求的耐受电压来选择。确定导通电阻RDS(ON)的因素如图3-7和方程式3-（1）所示。根据器件的结构，决定导通电阻的因素比例将发生变化。 
（2）例如，许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS（U-MOS）结构。因此，当耐受电压VDSS＝600V时，Rdrift成为主导因素，当耐受电压是30V时，因素Rch的比例较高。

教你几种电路分析的高效方法

对电路进行分析的方法很多，如叠加定理、支路分析法、网孔分析法、结点分析法、戴维南和诺顿定理等。根据具体电路及相关条件灵活运用这些方法，对基本电路的分析有重要的意义。现就具体电路采用不同方法进行如下比较。

01支路电流法

支路电流法是以支路电流为待求量，利用基尔霍夫两定律列出电路的方程式，从而解出支路电流的一种方法。

一支路电流分析步骤

大功率二极管晶闸管知识连载——控制特性

本文转载自：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/PRFHVEEkedR9f0e0JUXq1w">英飞凌工业半导体</a>

秒懂晶振以及晶振电路

在单片机中晶振是普遍存在的，那么晶振为什么这么必要，原因就在于单片机能否正常工作的必要条件之一就是时钟电路，所以单片机就很需要晶振，打个比方来说：晶振好比单片机的心脏，如果没有心脏起跳，单片机无法工作，晶振值越大，单片机运行速度越快，有时并不是速度越快越好，对于电子电路而言，速度够用就是最好，速度越快越容易受干扰，可靠性越差！下面小编带你了解整个晶振的原理以及晶振电路的构造。

【科普小贴士】MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案

针对MOSFET的最大问题，我们正采取以下对策：“如何有效利用元件面积以有效降低导通电阻”

（1）高电压：下一页将介绍通过先进的超结工艺降低Rdrift电阻。 
（2）低电压：通过对沟槽结构的精细图形化可最大限度降低Rch电阻，采用薄晶片降低Rsub电阻。

EMC抗扰度之慢上升沿信号

作者：李义君，来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/-KpC21RyHUf0Ejcj-JwP_w">韬略科技EMC</a></p&…;

二极管的前世今生

作者： 卓晴，文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/X0L6BxhAfO_l4FJsD70Gdg">TsinghuaJoking</a></…;

电源时序规格：电源导通时的时序工作

文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/KNpnA5cn0TWHN6kucjkP7A" id="js_name">罗姆半导体集团</a>

本文先介绍使用通用电源IC实现电源时序控制电路中，电源导通时的时序工作。

【科普小贴士】MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）

（1）SJ-MOS在N层具有柱状P层（P柱层）。P层和N层交替排列。（参见图3-9（b）） 
（2）通过施加VDS，耗尽层在N层中扩展，但其在SJ-MOS中的扩展方式与在一般D-MOS中不同。（关于电场强度，参见图3-9（a）／（b）。电场强度将表示耗尽层的状态。 
（3）如果是D-MOS的情况，电场强度在P／N层接口处最强。当电场强度超过硅的极限时，会发生击穿现象，这就是电压极限。另一方面，如果是SJ-MOS的情况，电场强度在N层中是均匀的。 
（4）所以，SJ-MOS可采用具有较低电阻的N层设计，以实现低导通电阻产品。 
采用与DMOS相同尺寸的芯片，SJ-MOS可以实现更低的导通电阻。

高速信号是否需要包地处理

作者：陈虎，来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/cN6UvpvZxTXsw3V-BuM3jg">凡亿PCB</a>

元器件越小越好吗？

作者：卓晴，来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/xWy7fzVBwyShiHnDQx2bOw">TsinghuaJoking</a></…;

快速制作PCB中的秘密

作者： 卓晴，来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/zdDuZtUNgY3fFHbhFpNgwg">TsinghuaJoking</a></…;

简介： 如果你是一个急性子的电子狂热者，那么快速PCB制作是一个可以让你把硬件开发变得和软件开发一样容易的技术。掌握它，可以事半功倍，抚平你那躁动的狂野心灵。

测量电感电流的最佳方法是什么？

文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/IH6h1d0MPrfA9URmW_2Syg"> 亚德诺半导体</a></p&…;

开关电源通常使用电感来临时储能。在评估这些电源时，测量电感电流通常有助于了解完整的电压转换电路。但测量电感电流的最佳方法是什么？

【科普小贴士】按结构分类的MOSFET特性摘要

基于各种MOSFET结构的特性和主要应用如表3-2所示。

<ul>
<li>耐受电压：选择目标耐受电压的最佳结构。</li>
<li>低导通电阻：U-MOS适用于250V及以下产品，SJ-MOS（或DTMOS）适用于大于250V的产品。</li>
<li>高电流：与低导通电阻的趋势相同。</li>
<li>高速：U-MOS由于栅极容量（Ciss）大，不利于高速开关。</li>
</ul>

SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有单电源正电压时如何实现负压？

现代工业对电力电子设备提出了很多要求：体积小、重量轻、功率大、发热少。面对这些要求，Si MOSFET因Si材料自身的限制而一筹莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天优势开始大显神通。SiC MOSFET大规模商用唯一的缺点就是价格。但随着良率的提升和采用更大尺寸的晶圆，SiC与Si之间的成本差距正在收窄，在整车系统总体成本反而有明显的优势。SiC MOSFET替代Si MOSEFET成为越来越多的厂家的新选择。

SiC MOSFET的驱动与Si MOSFET的区别之一是驱动电压不同，传统Si MOSFET驱动只要单电源正电压即可，而SiC MOSFET需要单电源正负压驱动。SiC MOSFET要替代Si MOSFET，就要解决负压电路如何实现的问题。