本文主要探讨了第三代SiC MOSFET在电源设计中的应用。文章对比了Si与SiC的材料特性，回顾了SiC MOSFET的发展历程

ST最新推出的生物传感器ST1VAFE3BX将生物电位输入与意法半导体的加速度计以及机器学习核心相结合并实现同步，从而为下一代需要控制能耗的可穿戴医疗设备开辟了道路

该模块采用第8代绝缘栅双极型晶体管（IGBT）芯片，有助于降低太阳能发电系统、储能电池等电源系统中逆变器的功率损耗，提高逆变器的输出功率。

本白皮书将探讨IGBT并联的技术要点，第一篇将介绍静态变化、动态变化、热系数。

英飞凌最新推出的650V G5 CoolGaN™晶体管系列专为直接替代现有产品而设计，为现有平台提供了无缝升级路径，帮助设计人员快速实现重新设计

本方案支持双电机无感FOC控制，单核条件下仅需24.8μs即可对双电机执行完整电流环控制

意法半导体的STripFET F8技术确保器件具有很高的稳健性和更大的安全工作区(SOA)，能够处理大功率，耐受大功率造成的漏源电压(VDS)大幅下降

针对快速发展的汽车触控门把手市场，基于泰矽微高集成度的触控芯片TCAE10开发了一套高可靠性的触控门把手方案。

在AI展现出的强大功能背后，有一群“幕后英雄”——被动元器件，它们看似微小，实则是撑起AI“最强大脑”的后盾，正是它们成就了AI的强大功能。

株式会社村田制作所推出了1210尺寸静噪元件共模扼流线圈“DLM11CN_HH2系列”新产品，适用于汽车中的LVDS、SerDes、USB、HDMI等高速差分接口

MG32L003系列是笙泉科技新推出的低功耗MCU，其搭载了高性能的 32 位 ARM® Cortex®-M0+内核，最高主频达24MHz，内置64KB Flash

单对以太网（SPE）是一种新兴的以太网通信标准，与通常使用四对线的传统以太网不同，它只使用一对线进行数据传输

同步降压LED驱动器简单易用，具有高侧电流感测功能，可在宽广的4.5V至65V电压输入范围内驱动最大2A电流，并支持最高95%占空比

SGM05HU1AL 专用于保护电压敏感元件免受 ESD 影响。出色的箝位能力、低漏电、高峰值脉冲电流处理能力和快速响应时间为暴露于 ESD 的设计提供了同类最佳的保护

从本文开始将为大家具体介绍传感器相关的内容。正如在“前言”中提到的，将从物联网的角度出发展开相关介绍。我们首先来了解“加速度传感器”

随着人工智能技术的快速发展，越来越多的智能设备开始具备端侧AI处理能力。这些设备可以直接在本地处理数据，减少对云端的依赖，从而实现更低延迟

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率

微控制器（MCU）和微处理器（MPU）有哪些不同之处？简单来说，两者都是嵌入式系统的大脑。几年前，两者之间有非常明显的区别，功能截然不同

在静电防护设计中，选择合适的 ESD 保护器件至关重要。在所有静电防护的应用场景中，天线等射频接口是对 ESD 保护器件要求最高的场景之一

当针对需要辅助监控和监控元件以实现功能安全合规性的传统控制器设计进行基准测试时，LM5137F-Q1 等降压控制器具有多项固有优势。