直播预约 | RISC-V算力芯片,能否打开下一轮突破的新空间?
第五届滴水湖中国RISC-V产业论坛专题
【填问卷 月月赢好礼】“芯英雄联盟”直播服务在线调查
CES 2026(国际消费类电子产品展览会)专题
以板载匠心,赋能 FPGA 创新,加速产品从 0 到 1
为什么智能汽车需要车规级 UFS 4.1 存储?

UFS 4.1 的升级方向,就正是针对这些现实痛点。它在顺序和随机读写上的速度都有了明显提升,尤其是随机写入,提升3.7倍,这对于车机系统的多任务处理非常关键

积极拥抱RISC-V+AI,国芯科技高性能汽车智能域控 AI MCU芯片完成设计进入流片试制阶段

CCFC3009PT采用RISC-V架构6+6核设计,算力超过10000DMIPS(6个运算主核+6个锁步核,也可以根据用户需要解耦配置主核与锁步核数量)

SiC MOSFET分立器件和功率模块在车载充电器应用中的性能分析

本文围绕基于SiC分立器件和功率模块的功率因数校正器(PFC)级,分析并比较了二者在车载充电器(OBC)应用中的性能。

汽车传感新突破!Melexis MLX90514 双输入芯片来袭,线控转向精度再升级

Melexis推出MLX90514双输入电感传感器芯片(IC)。这款新型器件可同时处理两组线圈的信号,并在片上计算差分角度或游标角度。

体积缩减 40%+ 纹波提升 25%!Vishay 汽车级 DC-Link 电容破局严苛应用

MKP1848e系列的工作温度高达+125 °C,同时拥有高达44.5 A的纹波电流能力,以及高湿热条件下的高可靠性

详解大功率电源中MOSFET功耗的计算

本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤,并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例,详细说明了上述概念。

Coherent高意发布新一代多轨技术,实现光传输网络性能突破

Coherent 高意同步优化了光信道监测(OCM)技术,扫描时间缩短 50%,单模块支持多达 32 个监测点

TDK推出新型TMR定制传感器解决方案适用于高性能游戏机

TDK的TMR传感器技术为游戏键盘、手柄、鼠标滚轮、摄像头、AR/VR设备、方向盘及踏板提供更高的精度和准确度,以及更快的响应速度


利用主动短路技术将电动自行车安全提升到新高度

电池供电的电动自行车和电动踏板车为传统摩托车提供了一种可持续且环保的替代方案。许多电动自行车采用较大的 48V 或 36V 电池,在提供充足扭矩的同时支持以更低电流运行

突破传统!Littelfuse IX3407B 驱动器凭 2.5kV 电容隔离,重构工业电源可靠性

新型单通道驱动器采用2.5kV电容隔离技术,可提升功率密度、加快开关速度、增强电机驱动器、逆变器及工业电源的可靠性。

打破国际垄断!昂瑞微 OM6651A 车规蓝牙芯片闯过 41 项极限测试,重塑车载安全标杆

这颗采用3x2.7x0.5mm极薄LGA封装的芯片,以超低功耗与越级稳定性突破国产车规级芯片性能边界,确保在极寒、高温等极端工况下依然稳定运行,重新定义车载无线连接的技术标杆。

电源设计中的环路补偿及其常见问题分析和建议

电源环路补偿是稳定输出的关键,新手常因器件特性忽视、补偿不当、布局错误、仿真不足和效率优化缺失而踩坑,本文为你详细解析环路补偿必要性和常见错误,助力新手快速提升设计能力。

高精度 MEMS IMU 使用避坑指南:这四类注意事项,直接影响使用精度!

今天我们就从实际应用场景出发,拆解高精度 MEMS IMU 使用中的四类注意事项,帮你避开精度损耗的“隐形陷阱”。

EV 设计工程师福音!Littelfuse 新保险丝:AEC-Q200 合规 + 灵活安装,最大化 PCB 空间利用率

为电动汽车车载充电器和配电单元提供高分断额定值兼具紧凑灵活的安装特性。

业内首创贴片 Y1 电容!威世 SMDY1 车规级器件:500VAC 高压 + 4.7nF 高容,稳抗高湿热环境

这些器件在Y1绝缘等级下可提供高达500Vac(1500Vdc)的额定工作电压、最高4.7 nF的电容值和高湿热环境下的工作稳定性

为便携设备注入高保真音质:新唐小尺寸低功耗音频CODEC NAU88L21C发布

新唐科技推出低延迟音频 24bit CODEC、NAU88L21C,产品具有高集成度,高品质解析,接合小尺寸设计,快速实现纯净无杂音的输出。

SBC新突破!思瑞浦推出TPT1169xQ 全面升级CAN SIC,支持8Mbps高速通讯

思瑞浦3PEAK推出集成Watchdog、LDO和CAN SIC收发器的汽车级SBC系统基础芯片TPT1169xQ产品系列。该系列产品具有超低功耗、更强EMC性能

『从射频信号完整性到电源完整性』输出阻抗ZOUT和VRM输出噪声

这篇文章将从一个新的角度聚焦这个话题——VRM的输出阻抗如何影响时域中的噪声;在未来的文章中,我们还将更深入地探讨其学术方面的话题。

无回弹、低导通损耗的高效反向导通IGBT

本文研究了650V RCIGBT上不同集成二极管与IGBT的面积比,以及不同B+接触注入和退火条件所带来的影响。

AI时代存储模组消逝,佰维如何用“三项能力”重构千亿市场?

存储不再是隐藏在设备深处的默默无闻的部件,而成为AI应用爆发的关键瓶颈与突破点。“仅需13个爆款AI应用,就能支撑起2030年6000亿美元的存储市场规模。”