Nexperia的全新先进模型可捕获-55℃至175℃的整个工作温度范围的一系列完整器件参数。

本集团的2021年全年总收益约为132.5百万港元，较去年同期约96.3百万港元，上升37.6%。

RAC20E-K/277的一个特点是具有OVC III过压等级，可在2000m海拔运行（OVC II则为5000m），并且具有-40°C至+90°C的宽工作温度范围（降额）

该互连解决方案采用外形紧凑的连接器，能够满足高密度设计要求，可用于多种不同用途，包括前面板可插拔IO与主机芯片之间的直接跨接电缆，以及内部芯片间的互连。

本文介绍微控制器的五要素

本次新厂房的建设目的是构建可应对多层陶瓷电容器中长期需求增加的体制。

啸叫是指听到来自PCB板的类似“叽”或“吱”声音的现象。例如，听说有的便携设备用的廉价充电器发出相当大的啸叫音。

新IC的效率高达98.3%，在无需散热片的情况下可提供高达240W的输出功率，并可实现优于0.98的功率因数。

新系列元件尺寸紧凑，仅为12.7 x 15.8 x 11.5 mm（宽x长x高），具有-55 °C至+165 °C的宽泛工作温度范围，满足RoHS指令要求并获得AEC-Q200标准认证。

PE42545 单刀四掷开关采用倒装芯片形式，最高可支持67 GHz，PE42525 单刀双掷开关最高可支持60 GHz。PE42546 单刀四掷开关采用小型3 x 3mm LGA 封装设计，最高可支持45 GHz频率。

DZDH0401DW 控制器驱动 P 信道 MOSFET 来仿真理想二极管，在高达 40V 的系统中提供阻断反向电流所需的高侧导轨绝缘。

目前，可穿戴智能手表手环产品用户所关心的众多问题中，电池续航问题排在所有问题的首位，功耗是一个系统级的问题。为了更好的满足可穿戴产品超低功耗的需求，微源半导体近期发布了一款专门针对可穿戴设备低功耗应用需求的LDO – LP3991。

这两款器件均采用超薄的InSOP™-24封装。相较于分立方案设计，这种高集成度的高效架构无需使用散热片，并且可减少高达40%的元件数量。

3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围

近日，安富利发布了一项针对全球工程师的调查，以调查工程师如何应对全球芯片短缺、更长的交货时间以及工程师的设计选款和应用，发生哪些改变。

该系列模块特别适用于恶劣的电气环境如EV充电器，具有OVC III过压等级，可在海拔2000m运行，工作温度范围为-40至+90°C。

新型µPOL直流-直流转换器系列可在-40 ℃~125 ℃的宽结温范围内运行，并具有每立方英寸1000 A以上的高电流密度。

关于IGBT／MOSFET预驱动器，相信做电机驱动或者大功率设备驱动的工程师都会有所了解，所谓预驱动器，其实就是将微控制器与IGBT／MOSFET隔离开来，为负载及驱动器提供保护

本章将深入探讨氮化镓 (GaN) 技术 ：其属性、优点、不同制造工艺以及最新进展。这种更深入的探讨有助于我们了解 ：为什么 GaN 能够在当今这个技术驱动的环境下发挥越来越重要的作用。

为了精准聚焦工业测量领域，公司推出高可靠性、低功耗Sigma-Delta ADC CS1238DME芯片，通过可编程增益放大器（PGA），有效分辨率可达20.7位（PGA=128），增益误差8ppm。