将积层贴片压敏电阻、齐纳二极管等ESD保护元件安装在ESD发生源附近可有效地应对ESD。然而，ESD的侵入路径很难确定，这就导致了所安装的ESD保护元件没有发挥其原有实力的情况时常发生。

在交流电路中，由电源供给负载的电功率有两种：一种是有功功率，一种是无功功率。电压电流同相位，电源向负载供电，负载把电能转换成其他能量，叫有功。

本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况。

新的PYD 5731探测器集成温度参考元件，并具备最先进的1,8-3,6 V低电压工作性能。它具有出色的屏蔽性能，还可通过单线“直接链接”接口与主机微处理器进行2x14位数字输出通信。

在车载领域，车载ADAS ECU、Autonomous ECU等伴随着高度图像处理的系统的CPU、FPGA等随着系统的高性能、高功能化，需要高速动作以及大电流驱动。 另外，在ICT领域，服务器等需要庞大电力的成套设备需要支持大电流化的电源构成。

雅培新型消费类生物传感器系列产品将持续监测用户的葡萄糖、酮、乳酸和酒精等水平，使用户能够优化自身运动和营养方案，从而保证身体健康

新产品配有东芝开发的高发光效率LED，最大触发LED电流为2mA。这比当前产品低33%左右，因而支持较低的输入功率。缩短开关时间的特性可确保更快的运行：TLP223GA为50%，TLP223J为75%。

本文将介绍在SiC MOSFET这一系列开关动作中，SiC MOSFET的VDS和ID的变化会产生什么样的电流和电压。

Tyr™系列晶片的设计基于AD1028架构，实现多核无限展延以及超高运算速度。

该高速图像采集测试系统预计数据传输速率将达到3.5Gsps，有助于思特威加速后期例如智能手机主摄、无人机、8K智能安防摄像机以及高速工业相机等高端CMOS图像传感器的量产进程，更好地满足客户的需求。

近期，来自埃因霍芬理工大学的研究团队开发了一种新型近红外（NIR）光谱传感器，该传感器易于制造，并且尺寸与智能手机中的传感器相当，可用于工业过程监测及农业相关应用。

本文主要讲述了常见的开关电源拓扑结构特点和优缺点对比。

该系统将于2022年1月开始分阶段正式推出。TDK将首先把回收的PET薄膜用于MLCC。当扩展到MLCC以外的产品时，TDK将把回收的PET薄膜的使用率提高到20%，以进一步减少废弃物和二氧化碳。

Transphorm用于紧凑型功率转换应用的SuperGaN产品系列目前包括三款650V器件：480 mΩ FET、300 mΩ FET以及150 mΩ FET。这些器件采用标准的PQFN 5x6和8x8封装，并可在150°C下满足JEDEC认证标准。

本文将针对上一篇文章中介绍过的SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。

各类型二极管都会有一种称为「储存电荷」(storage charge)的特性，其效应是当二极管在正向传导模式(forward conduction mode)乘载电流时，会让电流发生并非立即出现的停止流动情况，其中各种关断状态值得探究。

本文详细介绍了PCB板中模拟电路和数字电路共地和不共地的区别。

浙江信唐智芯科技有限公司正式发布其自主研发成功的混合型Band 1+Band 3四工器。据介绍，这次发布的混合型四工器为国内首创，集成了信唐智芯先进的BAW、SAW、超厚层PCB整合、混合封装、干扰消除、功率增强、谐波抑制等多项创新技术。

随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术也在不断地创新。目前，开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备，是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。

在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。