直播预约 | RISC-V算力芯片,能否打开下一轮突破的新空间?
第五届滴水湖中国RISC-V产业论坛专题
【填问卷 月月赢好礼】“芯英雄联盟”直播服务在线调查
CES 2026(国际消费类电子产品展览会)专题
以板载匠心,赋能 FPGA 创新,加速产品从 0 到 1
敏芯股份推出MSPC04-GDS1微型差压传感器

MSPC04-GDS1微型差压传感器是敏芯股份在传统电子血压计应用技术多年积累沉淀的基础上,增加调理电路部分,开发的尺寸小巧紧凑,集成度更高的适用于手表、手环等可穿戴设备的新型传感器

USound MEMS扬声器带来全新的车内音频体验

USound基于微机电系统(MEMS)技术的扬声器现已符合汽车电子元件的标准。该公司对其获得专利的MEMS扬声器进行了认证,以便为汽车市场提供全新的车内音频体验。

星曜半导体发布基于高性能TF-SAW滤波器的Band3双工器

星曜半导体本次发布的Band 3双工器芯片,封装尺寸为1.8mm x 1.4mm,采用高性能的TF-SAW滤波器,其谐振单元Q值与BAW接近。发射工作频率为1710 ~ 1785MHz,接收工作频率为1805 ~ 1880MHz。

蓝牙联盟介绍Auracast:一种可在多设备上共享音频的新技术

蓝牙联盟(Bluetooth SIG)刚刚介绍了 Auracast 技术的最新细节,可知其支持音频分享、公共收听、辅以可访问性等方面的改进。

PIM模块中整流桥的损耗计算

在通用变频器或伺服驱动器的设计中,经常会用到英飞凌的PIM模块。一般情况下PIM模块中的整流二极管都是根据后面逆变IGBT的电流等级来合理配置的

哪些晶体、谐振器和振荡器可旋转180°使用?一招儿教你快速识别

晶体、谐振器、振荡器;这些可以旋转吗?

压电MEMS兰姆波器件技术最新进展与展望

博文重点介绍了基于不同材料平台的5G通信和物联网(IoT)用兰姆波器件的最新进展,并对该技术未来发展趋势进行了展望。

Vishay推出兼顾高可靠性和高性能的新款AEC-Q200标准薄型DC Link薄膜电容器

MKP1848Se DC-Link电容器额定容量为1 µF至75 µF,ESR低至3 mΩ。器件符合RoHS标准,纹波电流高达27 A,+85 °C条件下额定电压分别为500 VDC、700 VDC、900 VDC和1200 VDC。

IDC:2022Q1全球可穿戴设备出现首次下滑 同比降幅3%

根据 IDC 公布的最新数据,2022 年第 1 季度全球可穿戴设备市场出现首次下滑,总出货量为 1.053 亿部,同比下降 3%。

什么是串扰?该如何处理它?

随着半导体技术的高速发展,现今电子产品工作频率越来越高,这种增加的频率会导致信号边缘响应更加陡峭。并且由于电路板设计得越来越紧凑,布线越来越密,导致串扰问题也在日益激增。

睿感发布新品空气质量传感器,赋能健康生活

APCI一体式环境组合传感器,除可以检测空气质量外,还能精确测量颗粒物、挥发性有机化合物、温度和湿度等指标。

左蓝微电子5G滤波器取得突破进展

左蓝微电子本次推出的5G n78 PEBAWTM滤波器产品,具备小尺寸、低插损、良好的带外抑制、高功率等特点。其通带频率为3400-3600MHz,最大输入功率33dBm,支持工作-40℃至+95℃温度范围。

保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏

功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而,越熟悉越容易大意。从统计的角度来看,单个MOSFET不太可能被静电放电损坏。然而,在处理成千上万个MOSFET时,极小的故障都可能带来极大的影响。

如何抑制开关电源的输出纹波?

在开关电源中,稳定直流信号中交流纹波的叠加通常都是工程师苦恼的问题,那么我们如何来减小和抑制纹波噪声呢?

东芝推出五款新型MOSFET栅极驱动IC,助力移动电子设备小型化

TCK42xG系列现在允许用户从10V和5.6V这两种类型的栅源电压中进行选择,这覆盖了更多规格的MOSFET。凭借输入过电压锁定功能的多种检测电压,该产品能用于5V至24V的电源线路。

IMEC:2022年晶体管规模已经达到1000亿个

比利时微电子中心IMEC公布了一张很有趣的路线图,对比了1970年到现在2022年的52年间中,处理器芯片的晶体管密度变化

Transcend推出面向商用与个人计算机的DDR5内存新品

与 3200 MT/s 的上一代 DDR4 内存相比,DDR5 内存的起步频率提升了 50%、达到了 4800 MT/s,对注重高带宽的应用场景极具吸引力。

高密度互连印刷电路板:如何实现高密度互连 HDI

高密度互连 (HDI) 需求主要来自于芯片供应商。最初的球栅阵列封装 (BGA) 支持常规过孔。渐渐地,引脚变得更加密集。1.27 毫米的间距变成了 1 毫米,然后是 0.8 毫米,再到 0.65 毫米的中心距。

如何选取SiC MOSFET的Vgs门极电压及其影响

在IGBT时代,门极电压的选择比较统一,无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域,还未有约定俗成的门极电压规范。本文就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑,提供些有用的参考。