DF2B6M4BSL的总电容仅为0.15pF(最大值),是东芝当前所能提供的最小电容,较东芝的现有产品DF2B6M4ASL降低了大约25%。
650V-1200V电压等级的SiC MOSFET商业产品已经从Gen 2发展到了Gen 3,随着技术的发展,元胞宽度持续减小,比导通电阻持续降低,器件性能超越Si器件,浪涌电流、短路能力、栅氧可靠性等可靠性问题备受关注
该像素尺寸基于豪威集团的PureCel® Plus-S堆叠技术,同时采用了深光电二极管技术将光电二极管精确地嵌入硅片深处。凭借这些先进的技术,豪威集团开发出了超小像素尺寸,在相同的光学格式下可以实现更高的分辨率
S-19255系列采用业界超小型HSNT-4(1010)B(1.0x1.0x t0.41mm)封装,有助于提高设计的便利性,可灵活地适应更小的摄像头模块。
3款全新ESD保护器件符合AEC-Q101标准以及IEEE 100BASE-T1和1000BASE-T1开放技术联盟标准,专用于保护两条总线线路免受ESD和其他瞬变造成的损坏。
贸泽备货Skyworks Solutions SKY68031-11多频段RF IoT前端模块,这款低矮型模块支持LTE-M和NB-IoT收发器平台,输出功率高达+23.5 dBm,经过优化可支持1到6个LTE资源块 (RB)
Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %,为通信、服务器和数据中心电源应用提供了高效解决方案,同时实现栅极电荷下降60 %。
2021年汽车IC出货量的增幅是迄今为止自最高的,轻松超过了2017年汽车IC出货量20%的增幅。去年汽车IC出货量524亿个,是2011年(176亿颗)的3倍。相比之下,2021年全球IC总出货量(3940亿)约为2011年(1940亿)的两倍。
在维修电路板时,有时候需要测量板子上某一点的电位,来判断到底是哪里出了问题,而参考点的选取一般都是选择电源的负极,也就是GND地线。相关文章推荐:电路中的GND,它的本质是什么?如下图是几种GND的符号。
提到低功耗、大电流、超高速半导体器件,很多工程师同学肯定能首先想到肖特基二极管(SBD)。但是,你真的会用肖特基二极管吗?跟其他的二极管相比,肖特基二极管又有什么特别之处?下面,我们一起来划重点吧!
新系列元件的订购代码为 B58621V,有三种型号供选择,可选压力测量范围有0至16mbar、0至100 mbar和0至7 bar。这些压阻式压力变送器基于微机电系统 (MEMS) 技术,具有诸多特点
一台优秀的“电竞”手机,需要具备什么样的素质?芯片、快充、散热等堆料的做法在如今只是基本操作,如何在游戏场景中提升全方位的感官体验才是关键。





