MSPC04-GDS1微型差压传感器是敏芯股份在传统电子血压计应用技术多年积累沉淀的基础上,增加调理电路部分,开发的尺寸小巧紧凑,集成度更高的适用于手表、手环等可穿戴设备的新型传感器
USound基于微机电系统(MEMS)技术的扬声器现已符合汽车电子元件的标准。该公司对其获得专利的MEMS扬声器进行了认证,以便为汽车市场提供全新的车内音频体验。
星曜半导体本次发布的Band 3双工器芯片,封装尺寸为1.8mm x 1.4mm,采用高性能的TF-SAW滤波器,其谐振单元Q值与BAW接近。发射工作频率为1710 ~ 1785MHz,接收工作频率为1805 ~ 1880MHz。
蓝牙联盟(Bluetooth SIG)刚刚介绍了 Auracast 技术的最新细节,可知其支持音频分享、公共收听、辅以可访问性等方面的改进。
MKP1848Se DC-Link电容器额定容量为1 µF至75 µF,ESR低至3 mΩ。器件符合RoHS标准,纹波电流高达27 A,+85 °C条件下额定电压分别为500 VDC、700 VDC、900 VDC和1200 VDC。
左蓝微电子本次推出的5G n78 PEBAWTM滤波器产品,具备小尺寸、低插损、良好的带外抑制、高功率等特点。其通带频率为3400-3600MHz,最大输入功率33dBm,支持工作-40℃至+95℃温度范围。
功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而,越熟悉越容易大意。从统计的角度来看,单个MOSFET不太可能被静电放电损坏。然而,在处理成千上万个MOSFET时,极小的故障都可能带来极大的影响。
TCK42xG系列现在允许用户从10V和5.6V这两种类型的栅源电压中进行选择,这覆盖了更多规格的MOSFET。凭借输入过电压锁定功能的多种检测电压,该产品能用于5V至24V的电源线路。
与 3200 MT/s 的上一代 DDR4 内存相比,DDR5 内存的起步频率提升了 50%、达到了 4800 MT/s,对注重高带宽的应用场景极具吸引力。
高密度互连 (HDI) 需求主要来自于芯片供应商。最初的球栅阵列封装 (BGA) 支持常规过孔。渐渐地,引脚变得更加密集。1.27 毫米的间距变成了 1 毫米,然后是 0.8 毫米,再到 0.65 毫米的中心距。
在IGBT时代,门极电压的选择比较统一,无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域,还未有约定俗成的门极电压规范。本文就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑,提供些有用的参考。




