技术

第五讲谈谈锂离子电池为实现可持续发展社会作贡献的原因，以及替换铅蓄电池的优点、再循环方法、未来的可能性。

经常遇到有人把晶振的负载电容与外接电容混淆，甚至还有人误以为这是指同样的参数。这里需要特别指出的是：若你这样想，就大错特错了。

在本文中，我们将通过双脉冲测试来确认驱动器源极引脚的效果。

在便携和可穿戴设备等电池供电的低电压应用中，常有一些功能需要较高的电压才能工作，例如射频收发器、精密模拟电路、白光LED背光驱动、雪崩光电二极管(APD)的偏置电路等。

电路图，是通过电路元件符号绘制的电子元件连线走向图，它详细的描绘了各个元件的连线和走向，各个引脚的说明，和一些检测数据。

上桥 SmartFET 因其易于使用和高水平的保护而越来越受欢迎。与标准 MOSFET 一样，SmartFET 非常适合各种汽车应用。它们的区别在于内置在上桥 SmartFET 器件中的控制电路。

IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。

本文将详细阐述在 PCB 设计中管理高密过孔的需求，以及如何实现这一需求。

本文将针对具有驱动器源极引脚的TO-247-4L封装SiC MOSFET在桥式结构情况下的栅-源电压的行为，分LS侧（低边）MOSFET导通时和关断时两种情况用2个篇幅分别进行介绍。

在通用变频器或伺服驱动器的设计中，经常会用到英飞凌的PIM模块。一般情况下PIM模块中的整流二极管都是根据后面逆变IGBT的电流等级来合理配置的

晶体、谐振器、振荡器；这些可以旋转吗？

随着半导体技术的高速发展，现今电子产品工作频率越来越高，这种增加的频率会导致信号边缘响应更加陡峭。并且由于电路板设计得越来越紧凑，布线越来越密，导致串扰问题也在日益激增。

功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意。从统计的角度来看，单个MOSFET不太可能被静电放电损坏。然而，在处理成千上万个MOSFET时，极小的故障都可能带来极大的影响。

在开关电源中，稳定直流信号中交流纹波的叠加通常都是工程师苦恼的问题，那么我们如何来减小和抑制纹波噪声呢？

高密度互连 (HDI) 需求主要来自于芯片供应商。最初的球栅阵列封装 (BGA) 支持常规过孔。渐渐地，引脚变得更加密集。1.27 毫米的间距变成了 1 毫米，然后是 0.8 毫米，再到 0.65 毫米的中心距。

在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成的门极电压规范。本文就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑，提供些有用的参考。

随着电子技术的快速发展，便携设备已渗透到人们生活的各个方面。以手机为例，当今社会生活已离不开手机的使用，从日常通讯到娱乐购物，甚至核酸检测[此处有表情]，不可否认，手机已经成为了最重要的工具。

功率薄/厚膜电阻是一种电阻产品，可在承受大电流时保持高稳定性能。同时，电阻在运行过程中会产生热量，因此散热需要热管理解决方案

Wi-Fi 作为最常用的一项互联网接入技术，与我们每个人的生活息息相关。尤其是过去两年，因为疫情的原因，越来越多的社会活动都从线下转到了线上，Wi-Fi 在其中发挥了巨大的作用

在EMC中，地线会引发干扰问题，所以很多时候分析干扰的时候会用示波器查看地线上的噪声，更多的时候我们发现地线上有干扰噪声，但是不知道怎么来的，也不知道如何解决。