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宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用，包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征，并将它与其他方法进行了对比

在对陶瓷同轴谐振器展开讨论之前，我们需要先了解什么是谐振器以及这类电子元件是如何工作的

本文总结了一些最常见的高速 PCB 设计准则，希望对您的高速 layout 设计有所助益

本文将为您介绍GaN FET与高效电池隔离技术的发展，以及Nexperia所推出的GaN FET与专用电池隔离MOSFET的产品特性。

36V 锂离子电池是当今工具和户外动力设备的常用电源。由 36V 电池供电的产品得益于高功率输出和较长的电池寿命，同时也相对较轻且易于使用

本文我们将重点讨论传统人工智能面临的挑战，以及边缘智能会带来哪些好处。

到底是用紧耦合好还是松耦合好，之前也有研究过一些东西，后来无疾而终。其实这是一个比较难回答的问题

今天的主题则是关于另一个有用的电源模块元件——缓冲吸收电容器。缓冲电路是一种能量吸收电路，用于保护功率器件免受寄生电感引起的电压尖峰和电磁瞬态干扰的影响。

在整个高压辅助系统的应用中，安森美产品的物料单(BOM)含量可以达到10~15美金左右，器件类型多达20多种。本文将回顾这些系统级应用

什么是射频衰减器？如何为我的应用选择合适的RF衰减器？

硅通孔是一种主要的互连技术，用于在 2.5D/3D 封装中通过中介层、基板、电源和堆叠的裸片间提供电气连接

为了简单的说明电源的工作模式，用仿真软件模拟一个Buck电路用于展示几种工作模式的情况。

本文将重点介绍为新设计项目选择物联网开发工具包所涉及的许多考虑因素。

我们直接用PCB走线即可以实现一个“0欧姆”的功能，那我们为什么还需要焊接一个“0欧姆电阻”呢?

在功率器件半导体领域，越来越需要高频高功率耐高温的功率器件，随着时间发展，硅材料在功率器件领域已经达到了材料性能的极限

根据ABI Research的预测，全球Wi-Fi 6芯片组的出货量将从2020年的约4亿增长到2025年的约33亿。可见，在接下来的几年中，Wi-Fi 6技术将处于快速市场上升期，并将加速渗透到我们的生活中。

本文介绍三个最简单的三极管放大电路

我们在选择的电容的时候，经常碰到的容值是2.2uF、470nF、680uF、100nF这几个常见的值。数值并没有电阻那么丰富

本文介绍 TI 专注于优化热性能和突破芯片级功率密度障碍的三个关键领域。

本文将主要对比在船舶模式或睡眠模式下，传统解决方案（使用负载开关、RTC和外部按钮控制器）与改进方案 （使用集成解决方案），看看它们谁更省电。