技术
Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法
相比基于硅(Si)的MOSFET,基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可实现更高的效率水平,但有时难以轻易决定这项技术是否更好的选择。本文将阐述需要考虑哪些标准因素。
什么是DC-DC转换器的热仿真
在“DC-DC转换器的热仿真”系列中,将介绍使用ROHM Solution Simulator对耐压80V、输出5A的DC-DC转换器IC“BD9G500EFJ-LA”组成的电源电路进行电路工作仿真
不同功率器件在充电桩三相LLC拓扑中的应用探讨
文章针对这两类拓扑进行参数设计,选取三种功率器件方案,参考实际应用参数,利用PLECS平台进行仿真分析,综合对比三种功率器件在损耗、结温、效率和成本等方面的特点与差异。