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在整个电子产品设计中，电源部分是整个产品正常运行发挥最佳性能的基础。一个复杂的电源系统，会经过多种电压之间的转换

为什么提高功率密度是转换器设计人员的重要目标？不论是数据中心服务器等能源密集型系统，还是道路上越来越智能的车辆

在过去几年中，便携式医疗设备（PMD）的使用日益广泛，多种因素的组合，包括技术进步、降低公共卫生成本的压力以及让更广泛的患者群体能够获得卫生解决方案的愿望

本文探讨一下 BGA 封装和 BGA 串扰的问题。

在前几篇文章中，我们详细讲解了氧化、光刻、刻蚀、沉积等工艺。经过上述工艺，晶圆表面会形成各种半导体元件

储能系统价格变得越来越实惠，电价也在上涨，因此对可再生能源的需求不断增加。许多住宅现在使用太阳能发电和电池储能相结合的系统

本文主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性

在本文中，我们将回顾系统设计人员如何进行汽车应用设计，以及新型 eCall 解决方案如何优化整个平台

本文将探讨氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 的基本原理，展示其在开关模式电源电路中相对于传统硅器件的优势

本文中，我们将专注于前道工序 (FEOL)，并演示在栅极和源极/漏极之间引入空气间隙的SEMulator3D®模型

本文将为您简介USB接口、USB整体的发展历程，并介绍由CUI Devices推出的USB Type C连接器产品线。

随着消费者对电动汽车 (EV) 的需求和诉求持续增强，直流快速充电市场在蓬勃发展，市场对快速充电基础设施的需求也在增加

相信各位工程师在日常的电源设计中，当面对ZVS的场景时，经常会有如下的困惑：比如大名鼎鼎的LLC，工作在死区时，MOSFET 寄生二极管续流

抖动和相位噪声是晶振的非常重要指标，本文主要从抖动和相位噪声定义及原理出发，阐述其在不同场景下对数字系统、高速串行接口、数据转换器和射频系统的影响。

对于电源电压，DDR SDRAM系统要求三个电源，分别为VDDQ、VTT和VREF。

750V SiC FET 拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗。非常适用于空间极其有限的应用场景，如从几百瓦到千万瓦的交流 / 直流电源以及高达 100A 的固态继电器和断路器。

产品内部互联连接器，磁珠/电容或者互联线缆连接不当不仅仅会引起EMI问题，也会引起EMS问题

1200V TRENCHSTOP™ IGBT 7中功率技术与以前的IGBT 4技术相比，芯片缩小了约30%。芯片放置和模块布局可以对较小的芯片的热性能产生积极的影响，但它们也会影响开关损耗。

与其他传输线或波导滤波方案相比，微带滤波器最大的问题在于损耗。

在过去的几年里，碳化硅(SiC)开关器件，特别是SiC MOSFET，已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。