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本文探讨一下 BGA 封装和 BGA 串扰的问题。

在前几篇文章中，我们详细讲解了氧化、光刻、刻蚀、沉积等工艺。经过上述工艺，晶圆表面会形成各种半导体元件

储能系统价格变得越来越实惠，电价也在上涨，因此对可再生能源的需求不断增加。许多住宅现在使用太阳能发电和电池储能相结合的系统

本文主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性

在本文中，我们将回顾系统设计人员如何进行汽车应用设计，以及新型 eCall 解决方案如何优化整个平台

本文将探讨氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 的基本原理，展示其在开关模式电源电路中相对于传统硅器件的优势

本文中，我们将专注于前道工序 (FEOL)，并演示在栅极和源极/漏极之间引入空气间隙的SEMulator3D®模型

本文将为您简介USB接口、USB整体的发展历程，并介绍由CUI Devices推出的USB Type C连接器产品线。

随着消费者对电动汽车 (EV) 的需求和诉求持续增强，直流快速充电市场在蓬勃发展，市场对快速充电基础设施的需求也在增加

相信各位工程师在日常的电源设计中，当面对ZVS的场景时，经常会有如下的困惑：比如大名鼎鼎的LLC，工作在死区时，MOSFET 寄生二极管续流

抖动和相位噪声是晶振的非常重要指标，本文主要从抖动和相位噪声定义及原理出发，阐述其在不同场景下对数字系统、高速串行接口、数据转换器和射频系统的影响。

对于电源电压，DDR SDRAM系统要求三个电源，分别为VDDQ、VTT和VREF。

750V SiC FET 拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗。非常适用于空间极其有限的应用场景，如从几百瓦到千万瓦的交流 / 直流电源以及高达 100A 的固态继电器和断路器。

产品内部互联连接器，磁珠/电容或者互联线缆连接不当不仅仅会引起EMI问题，也会引起EMS问题

1200V TRENCHSTOP™ IGBT 7中功率技术与以前的IGBT 4技术相比，芯片缩小了约30%。芯片放置和模块布局可以对较小的芯片的热性能产生积极的影响，但它们也会影响开关损耗。

与其他传输线或波导滤波方案相比，微带滤波器最大的问题在于损耗。

在过去的几年里，碳化硅(SiC)开关器件，特别是SiC MOSFET，已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。

由于其小尺寸、高效率和低功耗，PMIC 成为可穿戴设备、可听戴设备和物联网设备等小型设备必不可少的器件。

本报告针对全球热销的村田MEMS IMU产品“SCHA634-D01”进行物理分析，包括器件拆解、芯片剖析及材料分析等

利用原子钟授时现已成为数据中心不可或缺的组成部分。目前，通过全球定位系统（GPS）和其他全球导航卫星系统（GNSS）网络传输的原子钟时间已使全球各地的服务器实现了同步