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技术

第10讲:SiC的加工工艺(2)栅极绝缘层

栅极氧化层可靠性是SiC器件应用的一个关注点。本节介绍SiC栅极绝缘层加工工艺,重点介绍其与Si的不同之处。

面对电动汽车和数据中心两大主力应用市场,SiC和GaN该如何发力?

在DC/DC转换器中,GaN器件提高了降压/升压转换器等电压转换器的效率,尤其适合电动汽车和数据中心等应用

智能无线传感器设计完全指南

本文介绍了ADI公司的BLE和SmartMesh无线状态监控传感器,其中包括一款搭载边缘人工智能(AI)的新型无线传感器,它能延长受限边缘传感器节点的电池寿命。

5步法克服碳化硅制造挑战

随着行业不断探索解决方案,宽禁带(WBG)材料,包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),被视为解决之道

升压型DC-DC转换器关断时的工作

在本文中,我们将分“二极管整流升压型DC-DC转换器”、“同步整流升压型DC-DC转换器”

1.8V 3.3V 5V怎么转?经典电平转换电路总结

3.3V供电的STM32开发板,输出24V的工业传感器,如果把它俩直连在一起,会发生什么?把不同电平的芯片或者开发板直连,你是不是也做过类似的事?

在逆变器应用中提供更高能效,这款IGBT模块了解一下

制造商和消费者都在试图摆脱对化石燃料能源的依赖,电气化方案也因此广受青睐。

功率器件热设计基础(五)——功率半导体热容

本文介绍了热容的概念,提出了瞬态的热特性,并对比了不同封装的瞬态热阻

EMI滤波器在电力电子中的作用

EMI滤波器在确保系统在高电压环境下安全稳定运行方面扮演了至关重要的角色。以下将阐述EMI滤波器如何在这一关键环节发挥重要作用。

终于搞明白差模噪声与共模噪声

本文介绍一种将CM辐射和DM辐射从LTC7818控制的开关稳压器中分离出来的实用方法。

用于极端 PCB 热管理的埋嵌铜块

在 PCB layout 中实施热管理的方法有几种——从简单的散热风扇,到复杂的外壳和散热片设计。

功率器件热设计基础(四)——功率半导体芯片温度和测试方法

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计

提高下一代DRAM器件的寄生电容性能

随着传统DRAM器件的持续缩小,较小尺寸下寄生电容的增加可能会对器件性能产生负面影响,未来可能需要新的DRAM结构来降低总电容

射频全差分放大器(FDA)如何增强测试系统?射频采样模数转换器(ADC)来帮忙!

<p>在本文中,我们将讨论这些缺点,并说明射频全差分放大器(FDA)如何帮助您更大限度提高射频采样 ADC 的性能。</p>

射频 FDA 如何使用射频采样 ADC 来增强测试系统

在本文中,我们将讨论这些缺点,并说明射频全差分放大器 (FDA) 如何帮助您更大限度提高射频采样 ADC 的性能。

第9讲:SiC的加工工艺(1)离子注入

离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入,可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。

集成开关控制器如何提升系统能效?

近年来,高度依赖在线资源的混合办公模式加速普及,电子系统成为了必不可少的工具,效率的重要性愈发凸显

在更宽带宽应用中使用零漂移放大器的注意事项

<p><span style="text-wrap-mode: wrap;">零漂移运算放大器使用斩波、自稳零或这两种技术的结合来消除不需要的低频误差源,例如失调和1/f噪声</span></p>

车载充电器材料选择比较:碳化硅与IGBT

车载充电器 (OBC) 解决了电动汽车 (EV) 的一个重要问题。它们将来自电网的交流电转换为适合电池充电的直流电,从而实现电动汽车充电

一文解读48V-12V DC-DC 转换器核心技术

本文为“48V-12V DC-DC 转换器”系统解决方案指南的第一部分,将介绍系统目标、市场信息及展望、系统描述。