本文主要探讨了第三代SiC MOSFET在电源设计中的应用。文章对比了Si与SiC的材料特性，回顾了SiC MOSFET的发展历程
本白皮书将探讨IGBT并联的技术要点，第一篇将介绍静态变化、动态变化、热系数。
本方案支持双电机无感FOC控制，单核条件下仅需24.8μs即可对双电机执行完整电流环控制
从本文开始将为大家具体介绍传感器相关的内容。正如在“前言”中提到的，将从物联网的角度出发展开相关介绍。我们首先来了解“加速度传感器”
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率
当针对需要辅助监控和监控元件以实现功能安全合规性的传统控制器设计进行基准测试时，LM5137F-Q1 等降压控制器具有多项固有优势。
与系统模拟输入和输出节点交互作用的外置高压瞬变可能破坏系统中未采用充分保护措施的集成电路(IC)。
在寻找合适的DC-DC负载点稳压器来满足此要求时，我们发现市面上具有可调限流功能的电压转换器很少见。
本文将讨论在选择功率半导体技术和定义高电压、高电流电池断开开关的半导体封装时的一些设计注意事项，以及表征系统的寄生电感和过流保护限值的重要性。
在Si-IGBT的DIPIPM基础上，三菱电机开发了超小型全SiC DIPIPM，保持相同的封装及管脚配置。本文带你一览超小型全SiC DIPIPM的优势。
本文介绍了DMA控制器的两种模式。通过结合乒乓缓冲和多数据包缓冲传输模式，DMA 控制器可以显著提高 MCU 的数据传输效率和带宽
在许多照明应用中，测量两个光源的相对强度比测量其各自的强度更重要。这样能确保两个光源以相同的强度发光。
芯片上的所有电路都必须通过某种方式供电，这就给噪声传播到输出端提供了很多机会。
村田的树脂多层(LCP)基板具有出众的高频特性、薄型且能以灵活的形状进行电路设计等特点。本文为你详细介绍LCP基板的优势和特点。
微控制器需要同时管理多项任务，这意味着它们有时难以满足IO-Link数据通信的时序规范。一些设备制造商使用第二个微控制器来管理IO-Link堆栈
任何有影响力的技术都伴随着一系列风险，这些风险在与汽车安全相关的系统中尤为严重。国际标准化组织 (ISO) 26262 系列标准道路车辆
在本文中，我们将讨论为SiC MOSFET选择栅极驱动器时应考虑的标准
本文介绍了两种精简电路，它们均使用单个高电压LT8315转换器，可由30V至400V的宽输入电压范围产生±12V输出。
在上一期的内容中，我们为大家带来了ESR 对陶瓷电容器选择的影响的上半部分内容，今天我们将继续为大家介绍下半部分的内容。
在理想化的情境下，电容器的设计理论上可以追求零电阻状态。然而，这在物理现实中无法实现，因为电容器内部总会不可避免地存在一种与电容本身串联的内部电阻
