碳化硅

碳化硅(Silicon Carbide,SiC)是一种广泛应用于半导体器件制造的化合物材料。它具有多种优异的性能特点,使其成为了替代传统硅(Silicon,Si)材料的重要选择之一。

5步法克服碳化硅制造挑战

随着行业不断探索解决方案,宽禁带(WBG)材料,包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),被视为解决之道

EMI滤波器在电力电子中的作用

EMI滤波器在确保系统在高电压环境下安全稳定运行方面扮演了至关重要的角色。以下将阐述EMI滤波器如何在这一关键环节发挥重要作用。

功率器件热设计基础(四)——功率半导体芯片温度和测试方法

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计

车载充电器材料选择比较:碳化硅与IGBT

车载充电器 (OBC) 解决了电动汽车 (EV) 的一个重要问题。它们将来自电网的交流电转换为适合电池充电的直流电,从而实现电动汽车充电

高性能碳化硅隔离栅极驱动器如何选型,一文告诉您

本文将分享电隔离栅极驱动器的隔离能力评估 ,并介绍其典型的应用市场与安森美可提供的高新能产品选型。

如何在设计中轻松搭载GaN器件?答案内详~~

如今,围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点

Littelfuse推出首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列

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最新一代SiC器件旨在改善未来电动汽车电驱逆变器平台,进一步释放小型化和节能潜力。

东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员,其将助力工业电源设备实现高效率

东芝最新推出第3代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品,为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗