SiC 市场的下一个爆点：共源共栅（cascode）结构详解
judy -- 周三, 03/26/2025 - 15:05
SiC JFET cascode应用指南讲解了共源共栅（cascode）结构、关键参数、独特功能和设计支持。本文为第一篇，将重点介绍Cascode结构。
碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种广泛应用于半导体器件制造的化合物材料。它具有多种优异的性能特点，使其成为了替代传统硅（Silicon，Si）材料的重要选择之一。
碳化硅
安森美推出基于碳化硅的智能功率模块以降低能耗和整体系统成本
judy -- 周二, 03/18/2025 - 14:31
EliteSiC SPM 31 IPM 与安森美IGBT SPM 31 IPM 产品组合（涵盖15A至35A的低电流）形成互补，提供从40A到70A的多种额定电流
Wolfspeed第4代碳化硅技术：重新定义高功率应用的性能和耐久性
judy -- 周三, 02/19/2025 - 11:01
本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承，Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案，重新定义行业基准。
碳化硅可靠性验证要点
judy -- 周二, 12/03/2024 - 15:16
在本文中，我们将探讨SiC半导体产品如何实现高质量和高可靠性，以及SiC制造商为确保其解决方案能够投放市场所付出的巨大努力
5步法克服碳化硅制造挑战
judy -- 周四, 11/21/2024 - 11:32
随着行业不断探索解决方案，宽禁带（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），被视为解决之道
EMI滤波器在电力电子中的作用
judy -- 周一, 11/18/2024 - 14:53
EMI滤波器在确保系统在高电压环境下安全稳定运行方面扮演了至关重要的角色。以下将阐述EMI滤波器如何在这一关键环节发挥重要作用。
功率器件热设计基础（四）——功率半导体芯片温度和测试方法
judy -- 周四, 11/14/2024 - 10:55
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计
车载充电器材料选择比较：碳化硅与IGBT
judy -- 周四, 11/07/2024 - 11:22
车载充电器 (OBC) 解决了电动汽车 (EV) 的一个重要问题。它们将来自电网的交流电转换为适合电池充电的直流电，从而实现电动汽车充电
高性能碳化硅隔离栅极驱动器如何选型，一文告诉您
judy -- 周五, 10/25/2024 - 14:45
本文将分享电隔离栅极驱动器的隔离能力评估 ，并介绍其典型的应用市场与安森美可提供的高新能产品选型。
如何在设计中轻松搭载GaN器件？答案内详~~
judy -- 周四, 10/17/2024 - 16:08
如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点