碳化硅

氮化镓技术将继续在国防和电信市场提供高性能和高效率。射频应用目前主要是碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）器件

在工业、汽车和可再生能源应用中，基于宽禁带 (WBG) 技术的组件，比如 SiC，对提高能效至关重要

要想让设备不断实现更好的节能指标，用功率器件取代传统开关是必要的一步。可以说，功率器件创新的方向就是为了打造更节能的社会

Qorvo的SiC FET技术用于采用TO-Leadless（TOLL）封装的750V器件开发，并扩大了其领先优势。那么，如此小巧的TOLL封装能带来什么？

与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%

新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用

SiC FET在共源共栅结构中结合硅基MOSFET和SiC JFET，带来最新宽带隙半导体技术的性能优势，以及成熟硅基功率器件的易用性

碳化硅 (SiC)是一种新兴的新型宽禁带 (WBG) 材料，特别适用于具有挑战性的应用。然而，大家对它的诸多不了解限制了设计人员对它的充分利用

在未来十年及以后，规模经济将继续降低碳化硅器件的成本，主要驱动因素是器件制造向8英寸碳化硅晶圆的过渡

DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200VDS 范围内安全可靠地运作，其闸极-源极 (Gate-Source) 电压 (Vgs) 为 +15/-4V，且在 15Vgs 时具有 75mΩ (典型值) 的 RDS(ON)规格