碳化硅

本文分析了目前不间断电源（UPS）在互联网数据中心中的应用和发展趋势。

通过采用 Wolfspeed 创新型碳化硅技术，将助力 AMP 优化电池性能、充电和成本。

本文我们将重点介绍第三代半导体中的SiC（碳化硅）如何助力轨道交通完成“碳达峰”目标

在功率器件半导体领域，越来越需要高频高功率耐高温的功率器件，随着时间发展，硅材料在功率器件领域已经达到了材料性能的极限

碳化硅MOS 芯片具有优异的高频特性，在高频应用中，传统的TO-247封装会制约其高频特性。

随着电池和超级电容等高效蓄能器的大量使用，更好的电流控制成为一种趋势。今天为大家介绍的是一种双向DC-DC转换器，其双向性允许电流发生器同时具备充电和放电能力。

新型碳化硅 FET 采用标准分立式封装。提供业界额定值最低的 RDS（on），是同类产品中唯一提供5μs的可靠短路耐受时间额定值的器件

目前SiC MOSFET体二极管的可靠性研究论文和报告较少，本文针对SiC MOSFET的体二极管可靠性进行研究。

TOLL封装的尺寸仅为9.90 mm x 11.68 mm，比D2PAK封装的PCB面积节省30%。而且，它的外形只有2.30 mm，比D2PAK封装的体积小60%。

3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围