在涉及电子产品，尤其是集成半导体时，体积至关重要。数十年来，行业发展一直符合摩尔定律，它预测晶体管成本会年年降低。可能有人质疑摩尔定律的准确性，但是它创造的对更小、更快、更便宜产品的需求却不会在短期内终结。
然而，对于功率器件而言，摩尔定律并非金科玉律。确实，器件越小越好，但是功率半导体在有用的同时能有多小存在可接受的极限。这是因为它承载电流的能力与物理面积息息相关。所有半导体都有一个共同点，那就是需要将结处生成的热量散出去。这也是一个与物理尺寸关系密切的性能表征。
随着逻辑晶体管面积不断减小至亚微米级尺寸，它能以更低的总体成本进行更快的运行并损耗较低的功率。事实上，晶体管的进一步集成会面临热密度方面的挑战。管理基片上生成的高温并非小事，尤其是在将数十万晶体管集成到一个基片上时。很明显，在这种密度下，即使微小的损耗也会快速带来可能造成损坏的高温。
对于功率器件，缩小面积能带来同样的好处，但是，由于涉及的功率电平要高得多，热状况会进一步降低可扩展性。此处的关键指标是从结到壳的热阻，而表示这一指标的重要参数之一是结和晶粒的物理体积。除此以外，晶粒连接到壳的方式是另一个仅次于体积的相关热阻参数，从这一方面着手，有几种方法可以提高功率器件的整体导热性。
一个好例子是UnitedSiC开发的利用银烧结代替铅基焊料来将晶粒连接到封装的技术。在大多数情况下，铅焊料是晶粒连接的完美方式，但是铅焊料的导热系数相对较低，约为0.25W/cm/°C。银烧结的导热系数则很高，约为1.4W/cm/°C。