Qorvo E1B SiC模块：成就高效功率转换系统的秘密武器
judy -- 周四, 06/13/2024 - 14:46
碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种广泛应用于半导体器件制造的化合物材料。它具有多种优异的性能特点，使其成为了替代传统硅（Silicon，Si）材料的重要选择之一。
碳化硅
纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度
judy -- 周二, 06/11/2024 - 15:24
具备行业领先的温控性能，全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低温运行和快速开关，为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电
电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析
judy -- 周五, 06/07/2024 - 10:47
本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案
主驱逆变器，为何要选择碳化硅？
judy -- 周四, 03/21/2024 - 10:20
在当今全球汽车工业驶向电动化的滚滚浪潮中，一项关键技术正以其颠覆性的性能改变着电动汽车整体市场竞争力的新格局
Wolfspeed 功率模块如何变革三相工业低电压电机驱动器
judy -- 周三, 03/06/2024 - 09:58
本文将探讨 Wolfspeed WolfPACK 功率模块如何将损耗降低高达 50%，同时实现更小、更轻、热稳定性更高的嵌入式 25 kW 三相工业低电压电机驱动器。
Qorvo® 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块
judy -- 周四, 02/29/2024 - 10:46
Qorvo推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置
意法半导体隔离栅极驱动器：碳化硅MOSFET安全控制的优化解决方案和完美应用伴侣
judy -- 周二, 02/27/2024 - 10:29
STGAP系列隔离栅极驱动器具有稳健性能、简化设计、节省空间和高可靠性的特性
Qorvo®推出D2PAK封装SiC FET，提升750V电动汽车设计性能
judy -- 周二, 01/30/2024 - 10:40
UJ4SC075009B7S 在25°C时的典型导通电阻值为9mΩ，可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率
功率电子器件从硅（Si）到碳化硅（SiC）的过渡
judy -- 周四, 12/21/2023 - 11:00
本文探讨了SiC材料如何提升产品性能以超越基于硅材料的领域，从而为我们全新的数字世界创造下一代解决方案。
碳化硅电子熔丝演示器为设计人员提供电动汽车电路保护解决方案
judy -- 周二, 12/05/2023 - 11:24
电子熔丝通过其可配置性、受控的导通和关断、车载诊断和对高电压瞬变的耐久性提高了系统级性能