碳化硅

碳化硅(Silicon Carbide,SiC)是一种广泛应用于半导体器件制造的化合物材料。它具有多种优异的性能特点,使其成为了替代传统硅(Silicon,Si)材料的重要选择之一。

Littelfuse推出首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列

SMFA非对称瞬态抑制二极管采用单一元件解决方案,可轻松取代多个齐纳二极管和瞬态抑制二极管

住宅和商用空调及热泵通过采用碳化硅器件,从容应对盛夏炎热

本文将介绍碳化硅分立解决方案和功率模块在住宅和商用热泵及空调设计中的技术考虑因素和实际应用。

意法半导体第四代碳化硅功率技术问世!为下一代电动汽车电驱逆变器量身定制

最新一代SiC器件旨在改善未来电动汽车电驱逆变器平台,进一步释放小型化和节能潜力。

东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员,其将助力工业电源设备实现高效率

东芝最新推出第3代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品,为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗

InnoSwitch3-AQ可提高400V和800V电动汽车μDCDC变换器的效率和可靠性

Power Integrations灵活通用的InnoSwitch3-AQ反激式开关IC产品系列为汽车应用提供了多种方案选择

说碳化硅高富帅 是有原因的!

本文深入探讨了SiC的基本特性、优势、减少体积以及加速其研发的方法,并通过SiC MOSFET电源模块方案来进行实例分析,旨在为相关设计提供有益的参考与指导。

在工业电机驱动器中采用碳化硅设计的实用工具

本文将介绍如何简化、加快碳化硅设计流程并降低风险,以及如何在工业电机驱动系统中更轻松地实现 IE4 和 IE5 节能目标。

如何“榨干”SiC器件潜能?这几种封装技术提供了参考范例

本文将聚焦于SiC材料的卓越属性,探讨安森美(onsemi)系列先进的封装技术为加速SiC导入新能源领域应用提供的参考范例。

纳微推出TOLL封装版第三代快速碳化硅MOSFETs

第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装,为关键、高可靠性、高效率的应用带来最高功率密度

电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析

本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案