碳化硅 | 电子创新元件网

碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种广泛应用于半导体器件制造的化合物材料。它具有多种优异的性能特点，使其成为了替代传统硅（Silicon，Si）材料的重要选择之一。

纳微半导体发布全新GeneSiC SiCPAK™模块

judy -- 周四, 05/11/2023 - 09:13

先进的GeneSiC碳化硅技术将实现从10千瓦到兆瓦级别的应用扩展，包括铁路、电动汽车、工业、太阳能、风能和储能等领域，加速实现“Electrify Our World™”使命

judy -- 周三, 05/10/2023 - 15:19

该器件有6种型号，适用于400 - 800V电池系统，额定电流最高可达30安培

judy -- 周三, 05/10/2023 - 15:05

安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。

judy -- 周四, 04/13/2023 - 09:51

这款 MOSFET 的 RDS(ON) (典型值) 很低，仅 80mΩ (对于 15V 的闸极驱动)，能将传导耗损降至最低，并提高效率

judy -- 周二, 04/11/2023 - 10:16

碳化硅（SiC）的性能潜力是毋庸置疑的，但设计者必须掌握一个关键的挑战：确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。

judy -- 周五, 03/31/2023 - 16:24

本文将为您介绍SiC MOSFET器件设计和制造流程并展示安森美在这方面的创新技术与成果

judy -- 周四, 03/23/2023 - 14:56

随着消费者对电动汽车 (EV) 的需求和诉求持续增强，直流快速充电市场在蓬勃发展，市场对快速充电基础设施的需求也在增加

judy -- 周五, 03/17/2023 - 16:44

在过去的几年里，碳化硅(SiC)开关器件，特别是SiC MOSFET，已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。

judy -- 周五, 02/17/2023 - 10:22

本文将重点关注双向OBC，并讨论碳化硅在中功率和高功率OBC中的优势。

judy -- 周三, 02/15/2023 - 14:22

在相当长的一段时间内，硅一直是世界各地电力电子转换器所用器件的首选半导体材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出现带来了一种替代材料