碳化硅如何最大限度提高可再生能源系统的效率
judy -- 周四, 07/06/2023 - 14:25
全球范围内正在经历一场能源革命。根据国际能源署的报告,到 2026 年,可再生能源将占全球能源增长量的大约 95%
全球范围内正在经历一场能源革命。根据国际能源署的报告,到 2026 年,可再生能源将占全球能源增长量的大约 95%
在本文中,我们介绍 IGBT 器件的结构和运行,并列举多种不同 IGBT 应用的电路拓扑结构
根据该合作协议,双方在2024年至2030年间的交易额将超过1300亿日元。
本文介绍Nexperia(安世半导体)如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起,以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。
专有的“低门槛电压”技术带来更好的温控效果,第五代GeneSiC™碳化硅(SiC)二极管实现更高速、更高效的性能
先进的GeneSiC碳化硅技术将实现从10千瓦到兆瓦级别的应用扩展,包括铁路、电动汽车、工业、太阳能、风能和储能等领域,加速实现“Electrify Our World™”使命
该器件有6种型号,适用于400 - 800V电池系统,额定电流最高可达30安培
安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件,助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。
这款 MOSFET 的 RDS(ON) (典型值) 很低,仅 80mΩ (对于 15V 的闸极驱动),能将传导耗损降至最低,并提高效率
碳化硅(SiC)的性能潜力是毋庸置疑的,但设计者必须掌握一个关键的挑战:确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。