碳化硅 | 电子创新元件网

碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种广泛应用于半导体器件制造的化合物材料。它具有多种优异的性能特点，使其成为了替代传统硅（Silicon，Si）材料的重要选择之一。

Diodes推出首款碳化硅萧特基势垒二极管 (SBD)

judy -- 周三, 02/08/2023 - 14:47

这些宽带隙 SBD 的优点包括可大幅提高效率和高温可靠性，同时响应市场对降低系统执行成本并减少维护需求。

judy -- 周四, 02/02/2023 - 14:44

将成为全球最大的200mm 半导体工厂，采用创新性制造工艺来生产下一代碳化硅器件

judy -- 周一, 01/30/2023 - 17:05

TechInsights仅用数周就迅速采购并剖析了罗姆第4代金氧半场效晶体管，并于2022年7月公布了首批图像

judy -- 周五, 01/13/2023 - 10:44

SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大

judy -- 周三, 12/07/2022 - 11:14

去年，TechInsights通过一系列博客展示了电气特性的力量，对于揭示碳化硅器件规格书远远不能提供的碳化硅器件特性

judy -- 周一, 11/21/2022 - 10:40

在涉及电子产品，尤其是集成半导体时，体积至关重要。数十年来，行业发展一直符合摩尔定律，它预测晶体管成本会年年降低

judy -- 周三, 11/16/2022 - 10:33

本文分析了目前不间断电源（UPS）在互联网数据中心中的应用和发展趋势。

judy -- 周一, 11/14/2022 - 11:47

通过采用 Wolfspeed 创新型碳化硅技术，将助力 AMP 优化电池性能、充电和成本。

judy -- 周四, 11/03/2022 - 11:07

本文我们将重点介绍第三代半导体中的SiC（碳化硅）如何助力轨道交通完成“碳达峰”目标

judy -- 周二, 10/18/2022 - 15:28

在功率器件半导体领域，越来越需要高频高功率耐高温的功率器件，随着时间发展，硅材料在功率器件领域已经达到了材料性能的极限