碳化硅 | 电子创新元件网

碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种广泛应用于半导体器件制造的化合物材料。它具有多种优异的性能特点，使其成为了替代传统硅（Silicon，Si）材料的重要选择之一。

基于碳化硅 (SiC)的25 kW电动汽车直流快充开发指南-结构和规格

judy -- 周四, 03/23/2023 - 14:56

随着消费者对电动汽车 (EV) 的需求和诉求持续增强，直流快速充电市场在蓬勃发展，市场对快速充电基础设施的需求也在增加

judy -- 周五, 03/17/2023 - 16:44

在过去的几年里，碳化硅(SiC)开关器件，特别是SiC MOSFET，已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。

judy -- 周五, 02/17/2023 - 10:22

本文将重点关注双向OBC，并讨论碳化硅在中功率和高功率OBC中的优势。

judy -- 周三, 02/15/2023 - 14:22

在相当长的一段时间内，硅一直是世界各地电力电子转换器所用器件的首选半导体材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出现带来了一种替代材料

judy -- 周三, 02/08/2023 - 14:47

这些宽带隙 SBD 的优点包括可大幅提高效率和高温可靠性，同时响应市场对降低系统执行成本并减少维护需求。

judy -- 周四, 02/02/2023 - 14:44

将成为全球最大的200mm 半导体工厂，采用创新性制造工艺来生产下一代碳化硅器件

judy -- 周一, 01/30/2023 - 17:05

TechInsights仅用数周就迅速采购并剖析了罗姆第4代金氧半场效晶体管，并于2022年7月公布了首批图像

judy -- 周五, 01/13/2023 - 10:44

SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大

judy -- 周三, 12/07/2022 - 11:14

去年，TechInsights通过一系列博客展示了电气特性的力量，对于揭示碳化硅器件规格书远远不能提供的碳化硅器件特性

judy -- 周一, 11/21/2022 - 10:40

在涉及电子产品，尤其是集成半导体时，体积至关重要。数十年来，行业发展一直符合摩尔定律，它预测晶体管成本会年年降低