• 基于霍尔效应的新型双芯片3D位置传感器HAR® 39xy系列 (HAR 3900 和 HAR 3930）可实现有源杂散场补偿
• SSOP16封装中的完全冗余器件
• 高度灵活的器件架构，支持各种数字接口（SPI、PWM输出和SENT，符合 SAE J2716）

运算放大器中有表示特性的代表性参数。

放大率和电压增益<放大率和电压增益>

若给放大电路的输入增加电压，则在其输出时，会出现输入电压放大率的倍数。该放大率用输出电压的大小除以输入电压的大小所得的值表示。

n型半导体是指以磷（P）、砷（As）或锑（Sb）作为杂质进行掺杂的本征半导体。第IV组的硅有四个价电子，第V组的磷有五个价电子。如果在纯硅晶体中加入少量磷，磷的一个价电子就可以作为剩余电子自由移动（自由电子*）。当这个自由电子被吸引到“＋”电极上并移动时，就产生了电流流动。

* 这个自由电子就是n型半导体的载流子。

新的门驱动器节省了六分之一的模块；大大降低了系统的复杂性

SCALE-2技术可优化外形尺寸，提高耐压在3300V以内的功率逆变器和变换器的效率、性能和可靠性

通过提升汽车激光雷达应用的探测和识别能力，增强未来移动出行的安全保障

索尼半导体解决方案公司今天宣布即将推出行业首创^*1的直接飞行时间(dToF)堆叠式SPAD（单光子雪崩二极管）深度传感器IMX459，可用于汽车激光雷达。

思特威（SmartSens）正式推出搭载DSI-2技术的全系列升级图像传感器新品——SC2336与SC3336，以高品质的视频解决方案赋能2MP-3MP安防及车载智视应用发展。

器件通过AEC-Q200认证，工作电压达3 kV，采用2010和2512外形尺寸，可替代标准电阻串

光继电器是一种光耦。光耦由输入侧的一个LED和输出侧的一个光电检测器组成，二者在内部组合在一起；光耦产品会因输出侧光电检测器的类型而有所不同。光耦产品的主要类型包括晶体管输出光耦、IC输出光耦、双向可控硅输出光耦和MOSFET输出光耦（称为“光继电器”）。

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，已开始量产M4G组中用于高速数据处理的20种新器件。M4G组是TXZ+^TM族高级系列的新成员，采用40nm工艺制造。这些产品采用带FPU的Arm Cortex-M4内核，运行频率高达200MHz，内部集成2MB代码闪存和32KB数据闪存，具有10万次的写入周期耐久性，此外还提供了丰富的接口和通信选项。