UnitedSiC（联合碳化硅）公司，现已发布业界最佳的750V、6mΩ器件，从而响应了电源设计人员对更高性能、更高效率的SiC FET的需求。这款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET竞争产品的一半，并且还提供了鲁棒的5μs额定短路耐受时间。今天所发布的产品包括750V SiC FET系列中的9种新器件/封装选项，额定值为6、9、11、23、33和44mΩ。

输入偏置电压是指有差分输入电路的运算放大器或比较器带有的误差电压。理想运算放大器或比较器的偏置电压为0V。

给运算放大器或比较器的输入引脚输入同相（相同）电压时，理想运算放大器不会输出偏置电压，但存在输入偏置电压时，就会输出与输入偏置电压相应的输出电压。

将该输出电压控制为0V所需的输入引脚间的电压差被称为输入偏置电压，该值为输入换算值。

意法半导体发布通用多区测距FlightSense™ 飞行时间传感器，为各种消费电子和工业产品带来精密的测距解决方案。

电感器采用 19 mm x 19 mm x 7 mm 封装，性能优于6767器件，成本低于8787电感器

坚固耐用的铜夹片FlatPower封装CFP15B获得各大一级汽车供应商的青睐，用于发动机控制单元

基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布，公司研发的表面贴装器件-铜夹片FlatPower封装CFP15B首次通过领先的一级供应商针对汽车应用的板级可靠性 (BLR)测试。该封装将首先应用于发动机控制单元。

NFM 三端子滤波电容器设计用于超大电流低等效串联电感 (ESL) 芯片。该ESL值低且极为可靠，并具有高频特性。这些电容器适合用于为高速工作的电源去耦，可在高达几百MHz的高频范围内提供良好的噪声抑制效果。

作者：周利伟，英飞凌工业功率控制事业部大中华区应用工程师

在我们的日常工作中，经常会碰到器件失效或系统故障，这时为了清楚界定失效事件的严重性，就需要定量的来描述具体的失效率，这就需要用专业的术语来沟通，而有的工程师喜欢谈FIT，有的工程师喜欢谈MTBF，其实这两个概念所描述的主体是不一样的，因此有必要在此简析一下。

SGM61012/SGM61022是一颗低压同步降压型DC-DC转换器芯片，采用了圣邦微电子全新研发的AHP-COT（Adaptive Hysteresis and Pseudo-Constant On-Time Control）架构（专利审查中），具有超快的负载或线电压瞬态响应特点。

陶瓷电容真的会老化？什么是十倍时？

随着时间的推移，陶瓷电容会因结构的变化而失去一部分容值。这种损耗是无法避免的，但可以测量并确定。原厂通常会使用十倍时作为这一损失的计量单位。

宇阳科技于近期推出行业最小尺寸的008004（0.25*0.125*0.125mm）超微型MLCC产品，作为国内首家通过权威机构-中国赛宝实验室检测鉴定，获得行业协会和终端客户的高度关注和认可。