Littelfuse推出无需外部电源设备的光隔离负载偏压栅极驱动器—— CPC1596

非常适合需要快速接通的工业、楼宇自动化、物联网和其他大功率电子应用

SiC SBD的高耐压(反压)特性

碳化硅(SiC)是一种宽带隙半导体,其带隙宽度为3.26eV,远高于硅(Si)的带隙宽度(=1.12eV)。SiC具有较高的击穿电场和较高的热导率,这是由于它具有较低的晶格常数(即较短的原子间距离)从而具有较高的原子键。

Si和SiC的物理性质比较

TDK推出新型低电阻树脂电极产品扩展积层陶瓷贴片电容器(MLCC)阵容

  • 实现了与标准产品相当的低电阻,树脂层仅覆盖端子电极的一部分
  • 新3216尺寸产品的电容为10㎌,3225尺寸产品的电容为22㎌
  • 符合AEC-Q200标准

什么情况下应该从硅片转换到宽带隙技术?

作者:英飞凌科技功率半导体和系统工程部杰出工程师Gerald Deboy 博士

XP Power推出超宽85-305VAC输入AC-DC电源,适用于15W至320W的嵌入式应用

 XP Power正式宣布推出稳压输出外壳AC-DC电源LCW系列,是嵌入式工业电子、技术和需要家庭认证的设备的理想选择。九个新系列(LCW15、LCW25、LCW35、LCW50、LCW75、LCW100、LCW150、LCW200和LCW320)的功率水平从15W到320W不等。所有模块均符合EN 55032 B级传导和辐射标准,便于低成本集成,并配有集成连接器盖,以提高安装后的安全性。

Vishay的新款薄膜贴片电阻已通过AEC-Q200认证,额定功率高达2.5 W,且耐湿性能优异

精密电阻采用1206和2512两种外形尺寸,TCR低至± 25 ppm/°C,精度为± 0.1 %

收购Eta Wireless,村田获得可降低5G终端RF电路功耗的“Digital ET技术”

株式会社村田制作所完成对Eta Wireless, Inc.公司的收购。Eta Wireless拥有削减功耗的“Digital ET技术”,该技术是最优化RF电路的电压并削减功耗的特有电力控制技术,用于与终端收发信号功能相关的RF电路。

Teledyne e2v 推出具有 200 万和 150 万分辨率的 Topaz 系列 CMOS 工业传感器

新款 Topaz 传感器是移动应用的理想选择,价格非常有吸引力,性能却没有打折扣。

【科普小贴士】什么是p型半导体?

p型半导体是指掺杂了硼(B)或铟(In)的本征半导体。第IV组的硅有四个价电子,第III组的硼有三个价电子。如果将少量硼掺杂到硅单晶中,在某个位置上的价电子将不足以使硅和硼键合,从而产生了缺少电子的空穴*。在这种状态下施加电压时,相邻的电子移动到空穴中,使得电子所在的地方变成一个新的空穴,这些空穴看起来就像按顺序移动到“–”电极一样。

Diodes推出 AP22653Q 可编程限流电源切换器

Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 推出 AP22653Q 可编程限流电源切换器。这款符合汽车规格的装置简化电源系统设计,同时确保经久耐用,提供受控与保护的电源路径。其额定连续负载电流高达 1.5A。