MDT 的多功能可编程 TMR 传感器设计具备更高的通用性，满足多种应用和要求，并在半导体供应短缺期间可确保对客户持续稳定供货

作者： 工程师 Barley Li,文章来源：Digi-Key

在市场上，你会发现，有些振荡器是MEMS类型，而有些则不是。他们之间有什么区别呢？

负反馈系统
运算放大器是具有高电压增益的放大器，但几乎不是运算放大器单体进行放大。

原因是开环增益存在偏差，或带宽较窄，难以控制放大率。

因此，一般构成负反馈电路后使用。

下图表示负反馈系统的模型。

在汽车的死亡事故中，幼儿被遗忘在车内已经成为了一个问题。北美平均每年发生约39名幼儿被遗忘在车内后死亡的事故(*1)。作为相关制造商的使命，削减汽车内的死亡事故成了一个课题。因此，各汽车制造商正在推进儿童和宠物遗忘检测系统的开发。本章将介绍TDK与“幼儿遗忘检测系统”相关的零件和技术服务。

UnitedSiC第四代750V SiC FET现在以不同价格提供更多导通电阻选择，以便灵活应用于各种应用。

博客

p型和n型半导体之间的接触面即称为PN结。

p型和n型半导体键合时，作为载流子的空穴和自由电子相互吸引、束缚并在边界附近消失。由于在这个区域没有载流子，所以它被称为耗尽层，与绝缘体的状态相同。

思特威（SmartSens），正式推出三款全新SmartGS®-2系列图像传感器——SC350HGS / SC650HGS / SC950HGS，以高帧率无形变的清晰影像赋能3MP~9MP智能化应用工业相机。

转换速率是表示运算放大器的工作速度的参数。

表示输出电压在规定的单位时间可变化的比例。

例如，1[V/µs]表示在1[µs]内可使电压发生1[V]的波动。

理想运算放大器可忠实地输出任何输入信号对应的输出信号，但实际上还存在一种叫做转换速率的限制。

新型低PIM线缆产品包括扩展线缆和连接器选项

除了硅，还有结合了第III组和第V组元素以及第II组和第VI组元素的化合物半导体。例如，GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、InGaAlP（磷化铝镓铟）等通常用于高频器件和光学器件。

近年来，InGaN（氮化铟镓）作为蓝光LED和激光二极管的材料引起了人们的广泛关注，SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为功率半导体材料也得到了一定程度上的关注和商业化。