新型光学谐振器可用于蛋白质、DNA折纸或病毒的表征（来源：KIT）

作者： 麦姆斯咨询殷飞 来源：MEMS

Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 宣布其超高功率密度 (UHPD) 充电器解决方案于亚洲金选奖 (EE Awards Asia) 首获金选节能系统功率半导体供货商项目公司奖。其中的三芯片充电器解决方案最初是为了提高笔记本电脑适配器以及智能手机充电器等产品应用的性能而开发的。

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前最受关注的晶体管。

MOSFET有两种类型：N沟道（参见下图3-4（a）N沟道）和P沟道（参见下图3-4（b）P沟道）。

N沟道广泛用于AC／DC电源、DC／DC转换器、逆变器设备等，而P沟道则用于负载开关、高边开关等。

双极晶体管和MOSFET之间的差异如表3-1所示。

半导体元器件在整机应用端的失效主要为各种过应力导致的失效，器件的过应力主要包括工作环境的缓变或者突变引起的过应力，当半导体元器件的工作环境发生变化并产生超出器件最大可承受的应力时，元器件发生失效。应力的种类繁多，如表1，其中过电应力导致的失效相对其它应力更为常见。

左图：iPMSEL阵列由16个发光单元组成。右图：由VCSEL、DOE和iPMSEL阵列组成的光束模式光源概念图。

作者：黄刚，文章来源：高速先生

大家估计知道一对高速信号孔旁边需要加地过孔，但是要加多少个呢？相信广大粉丝们心里是没底的，别急！高速先生今天帮大家量化出来哈。

相移全桥电路中轻负载时流过的电流小，LS中积蓄的能量少，所以很有可能在滞后臂的C_OSS充放电完成之前就开始开关工作。因此，ZVS工作无法执行，很容易发生MOSFET的导通损耗。

JFET的操作

JFET：结型场效应晶体管

（1）在N沟道结型场效应晶体管（图3-3（a））中，当在漏极和源极之间施加电压时，电子从源极流向漏极。

（2）当在栅极和源极之间施加反向偏压时，耗尽层扩大并抑制（1）中的电子流动。（使电子流动的路径变窄）

本文转载自：贸泽电子