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<p><strong>关键要点</strong></p>
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<p>・在重负载时，如果trr较长，则超前臂关断时，寄生双极晶体管可能会误导通，从而损坏MOSFET。</p>
<p>・在PSFB电路中，在反向恢复期间体二极管的偏置电压几乎为0V，因此电荷释放速度变慢，最终导致trr变长。</p>
<p>・在PSFB电路中使用trr小的MOSFET很重要。</p>
<p>・即使是快速恢复型SJ MOSFET，其性能也会因制造商和产品系列而异，因此在选择时需要充分确认。</p>
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<p>在重负载时，如果MOSFET的体二极管的反向恢复时间t<sub>rr</sub>较长，且有电流残留，则在超前臂的MOSFET关断时，寄生双极晶体管可能会误导通，从而损坏MOSFET。这种问题发生在由关断时产生的对漏源电容CDS的充电电流而使寄生双极晶体管自发地导通（误导通）、瞬间流过大电流时。</p>
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<p>在逆变器电路等电路中，在正向电流流过MOSFET的体二极管的状态下，通过施加高反向偏置电压，强制使体二极管中的电荷（Q<sub>rr</sub>）被快速释放。这种放电所需时间为trr，因此最终会导致t<sub>rr</sub>变短。</p>
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<p>而在PSFB电路中，在反向恢复期间施加到体二极管的偏置电压几乎为0V，这会使电荷释放速度变慢，最终导致trr变长。下图为超前臂MOSFET的VDS、ID和反向恢复电流示意图。</p>
<img alt="超前臂MOSFET的VDS、ID和反向恢复电流示意图" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="3376c3b3-d132-49e1-a37f-e7618287c9b2" src="/sites/default/files/inline-images/1_225.png" /><img alt="MOSFET" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="67f43d85-c6eb-463a-86a8-9ada790ad56a" src="/sites/default/files/inline-images/2_11.PNG" />
<p>当trr变长时，反向恢复所产生的电流会发生变化，如图中红色虚线所示。也就是说，当关断时，MOSFET中有电荷残存，这使得电流更容易流动，使寄生双极晶体管更容易误导通。</p>
<p>因此，在PSFB电路中，需要使用t<sub>rr</sub>小的MOSFET。简言之，trr越小越有效。市场上有一些低trr的快速恢复SJ MOSFET，但制造商和产品系列不同，trr及其相关参数也存在差异，因此，在选择时需要进行充分确认。</p>
<p>即使是滞后臂的MOSFET，在关断时也可能引起寄生双极晶体管的误导通。但是，正如通过PSFB电路的工作所解释说明的，由于与超前臂相比，ID为正的时间段较长，因此不容易受到trr的影响，滞后臂不容易因寄生双极晶体管的误导通而导致MOSFET损坏。与超前臂一样，这里也给出了反向恢复电流的示意图。</p>
<img alt="MOSFET" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="d77c9967-fe39-4b2d-958f-9945c228e2f8" src="/sites/default/files/inline-images/4_8.PNG" />
<p>文章转载自：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/XfbVb98S96fwhdTZdq08BA">罗姆半导体 </a></p>
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