东芝开发出首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块,助力工业设备的高效率和小型化
judy -- 周二, 08/29/2023 - 15:02
新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250A,适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用
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